SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)4E에 1c나노 공정을 적용해 성능 경쟁력을 강화한다.
회사는 23일 1분기 실적발표 이후 진행된 컨퍼런스콜에서 "HBM4E는 고객사와 긴밀한 협의를 바탕으로 개발을 진행 중이며 하반기 샘플 공급과 2027년 양산을 목표로 하고 있다"며 "코어 다이에 고객 요구 성능을 반영해 1c나노 공정을 적용할 계획"이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 이 공정의 성숙도도 강조했다. 회사는 "1c나노는 2025년 말부터 양산에 돌입해 이미 시장에서 성능을 입증했으며 수율과 양산 역량도 안정적인 수준에 도달했다"고 설명했다. 이어 "추가적인 기술 내재화와 고객 검증을 통해 적기 개발과 안정적인 양산, 높은 품질을 확보해 기술 리더십을 이어갈 것"이라고 덧붙였다.