세계 2위 반도체 장비 회사 미국 어플라이드 머티어리얼즈(AMAT)가 26일 차세대 인공지능(AI)용 첨단 로직 및 메모리 칩 제조를 위한 신규 장비 3종을 공개했다.

박광선 AMAT 코리아 대표가 26일 서울 삼성동에서 열린 기자간담회에서 발언하고 있다./최효정 기자

박광선 AMAT 코리아 대표는 이날 서울 삼성동에서 열린 기자간담회에서 "AI 확산으로 로직·메모리·패키징 전 영역에서 요구 스펙이 빠르게 높아지고 있다"며 "AMAT는 지난 4~5년간 고객 로드맵에 맞춰 필요한 장비를 선제 개발해왔다"고 말했다.

박 대표는 "국내 고객과 공동 연구를 강화하기 위해 한국 R&D 센터 설립을 추진 중이며, 오산시와 투자 협의를 진행하고 있다"며 "2026년 문을 여는 미국 실리콘밸리 '에픽센터'와 연계해 글로벌 개발 거점 역할을 하게 될 것"이라고 밝혔다.

이날 처음 공개된 '키넥스' 시스템은 다이 투 웨이퍼(Die-to-Wafer) 방식의 하이브리드 본딩 공정을 통합한 장비다.

허영 AMAT 하이브리드 본딩 기술 디렉터는 "인터커넥트 밀도는 기존 마이크로범프 대비 10배 이상 높아질 수 있다"며 "고성능 AI 칩일수록 전력 효율과 신호 지연이 병목이 되는데, 하이브리드 본딩은 이를 구조적으로 해결하는 방식"이라고 설명했다. 그는 "과거 수시간 걸리던 공정 전환(Q-time)을 약 1시간 수준으로 줄일 수 있어 고객사의 개발 속도도 크게 향상된다"며 "고대역폭메모리(HBM)는 앞으로 한두 세대 후부터 하이브리드 본딩 적용이 본격화될 것"이라고 전망했다.

GAA 2나노 이하 공정용으로 소개된 '센추라 엑스테라'는 소스·드레인 에피택시(epi) 공정에서 발생하는 보이드(void) 문제를 해결하기 위한 장비다. 이두성 AMAT 에피택시 기술 매니저는 "GAA는 깊은 트렌치 내부를 균일하게 채우는 것이 가장 큰 난관"이라며 "Xtera는 챔버 부피를 80% 줄이고 프리클린·식각·증착을 정밀 조합해 보이드를 근본적으로 억제한다"고 말했다. 아울러 "가스 사용량을 기존 대비 50% 낮추면서도 균일도를 40% 높인 것이 특징"이라고 덧붙였다.

3D 패키징 및 백사이드 전력공급 공정에서 요구되는 계측 수요에 대응한 프로비전 10도 이날 함께 공개됐다.

장만수 AMAT 이미징 및 프로세스 제어 디렉터는 "냉전자방출(CFE) 기반 전자빔 계측을 적용해 해상도를 기존보다 최대 50% 높이고 속도는 10배 빠르게 개선했다"며 "웨이퍼를 손상시키지 않은 상태에서 100nm 이상 깊은 구조까지 관통 측정할 수 있어 GAA·EUV·HBM 공정에서 발생하는 내부 결함을 조기 파악할 수 있다"고 말했다. 이어 "칩이 3D로 복잡해질수록 계측이 병목이 되는 상황이 반복되고 있다"며 "이미지 분석을 포함한 데이터 기반 진단 솔루션까지 통합 제공한다"고 했다.

프라부 라자 AMAT 반도체 제품 그룹 사장은 "AI 확산으로 복잡한 패키징과 3D 아키텍처 수요가 빠르게 늘고 있다"며 "고객사와 협력해 로직·메모리 첨단 패키징 분야의 기술 로드맵을 공동 개발하고 있다"고 밝혔다.