삼성전자가 5세대 10㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m)급 D램을 내년에 양산하고, 9세대 낸드플래시 양산을 오는 2024년부터 시작하겠다고 밝혔다.
이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 5일(현지 시각) 미국 캘리포니아주에서 진행된 삼성 테크데이에서 "내년에 5세대 10㎚급 D램을 생산하고, 2024년에는 9세대 V낸드를 양산할 계획이다"라고 밝혔다.
D램은 스마트폰으로 사진을 촬영할 때 주로 사용하는 단기 기억 반도체다. 낸드플래시는 촬영 이후 사진을 장시간 저장할 때 사용되는 장기 기억 반도체다. 현재 D램은 4세대 10㎚급 제품이 생산 중이다. 낸드플래시의 경우 셀(데이터를 저장하는 단위)을 수직으로 쌓는7세대 V낸드가 양산되고 있다.
삼성전자는 이날 8세대 낸드플래시인 512Gb TLC(Triple Level Cell·1개의 셀에 3개 비트 저장) 제품도 공개했다. 동시에 오는 2030년까지 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드 기술을 개발하겠다는 목표도 공유했다. 1000단 낸드플래시는 현재 생산되는 176단 7세대 제품 대비 5배 이상 많은 정보를 저장할 수 있다.
삼성전자는 오는 2025년에는 자율주행(AD), 첨단운전자지원시스템(ADAS) 시장 등에서 1위를 달성하겠다는 포부도 드러냈다. 또 시스템 반도체 제품 간 시너지를 끌어올려 통합 솔루션 팹리스로 거듭 나겠다는 의지도 보였다.
박용인 삼성전자 시스템LSI 사업부장(사장)은 "우리는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, 모뎀 등 약 900개의 시스템 반도체 포트폴리오를 갖고 있다"라며 "다양한 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 통합 솔루션 팹리스가 되겠다"라고 했다. 삼성전자가 시스템 반도체 포트폴리오 보유 숫자를 밝힌 건 이번이 처음이다.