민테크(452200)는 자사의 ‘2차전지의 불량 검출 방법 및 장치’ 기술이 미국에서 특허를 취득했다고 20일 밝혔다. 이번 특허는 2차전지에 발생한 불량을 교류 임피던스의 변화를 기반으로 검출하는 방법과 그 방법이 구현된 장치에 적용됐다.
민테크에 따르면, 2차전지는 전기화학 반응의 임피던스가 교류 주파수에 의존하는 특성을 보인다. 이번 특허는 이러한 임피던스의 특성을 이용해 진폭이 작은 교류를 주파수를 서로 다르게 인가하면서 임피던스의 크기와 위상 차이를 분석해 불량 배터리 셀을 검출하는 방식에 대한 것이다.
민테크는 이번 기술이 2차전지 제조의 최종 단계인 화성 공정(Formation Process)에서 불량 셀 검출에 사용될 수 있다는 설명이다. 것으로 본다. 화성 공정은 조립된 배터리 셀을 충·방전해 활성화하고 내부의 화학반응을 안정화하는 공정으로, 여기서 셀의 기본성능과 품질을 평가한다.
현재 사용되는 불량 검출 방법은 일정한 온도의 공간에 셀을 보관하며 여러 차례 개방회로전압(OCV)을 확인하는 방식이다. 셀 내부 단락, 전극재료 불량, 불완전한 전해질 충전 등이 발생하면 OCV 값이 기준치를 벗어나게 되는데, 이 경우에 불량으로 판단해 선별한다.
민테크 관계자는 “OCV 검사법은 셀 내부 접촉 불량이나 전극 간 불균일성으로 인한 불량 검출이 어렵고 화학적, 물리적 결함이 미세한 경우에도 OCV 값에 영향이 크지 않아 불량 셀을 검출하기 어려운 한계가 있다”고 말했다. 아울러 민테크가 취득한 특허 기술을 OCV 검사법과 함께 사용하면 검출이 어려웠던 미세 불량 셀도 검출할 수 있다고 부연했다.
홍영진 민테크 대표이사는 “이번 특허를 바탕으로 미국 시장 진출을 본격화할 것”이라며 “현재 미국 시장에 진출한 복수의 글로벌 2차전지 제조사 및 전기차 제조사와 자사의 EIS 일체형 화성 공정 시스템의 적용을 협의 중”이라고 밝혔다.