삼성전자가 경쟁사인 세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 회사 대만 TSMC보다 먼저 3나노 공정기술을 개발, 2030년 시스템반도체 분야 세계 1등이라는 목표에 속도를 내고 있다.
삼성전자 화성사업장 내 반도체연구소는 2일 이재용 부회장이 방문한 자리에서 세계 최초로 개발한 3나노 공정기술을 시연했다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 아직 양산 단계는 아니지만 3나노 공정기술로 TSMC보다 먼저 시제품을 만든 것은 의미가 있다"면서 "기술력으로 TSMC와 경쟁하겠다는 의지를 나타낸 것"이라고 말했다.
TSMC는 올 하반기 5나노 공정기술을 양산에 적용하고, 3나노 공정기술은 오는 2022년에 양산에 적용할 것으로 알려졌다. 하지만 삼성전자는 이날 5나노 공정기술은 개발을 완료했다고 밝혀 양산이 임박했음을 시사했다. 3나노 공정기술 역시 개발 속도에 따라 이르면 올 하반기에 양산할 수 있다는 분석이 나오고 있다.
3나노 공정기술로 개발한 칩은 5나노 제품에 비해 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있고, 소비전력은 50% 감소시키면서 성능(처리속도)은 약 30% 향상시킬 수 있다고 삼성전자는 설명했다. 3나노 공정기술을 먼저 양산하게 될 경우 글로벌 스마트폰·반도체 회사들의 최신 제품 물량을 수주할 가능성이 높아지게 된다.
한편 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 지난해 3분기 파운드리 시장 점유율(예상)은 TSMC가 50.5%로 압도적인 1위를 차지했다. 삼성전자는 18.5%로 TSMC에 이어 2위를 기록했다.