[컨콜] 삼성전자, "1x나노 이상 선단 D램 비중 연말 70%... 1z에 EUV 적용"

삼성전자(005930)는 31일 올해 2분기(4~6월) 실적발표 후 진행한 컨퍼런스콜에서 "연말 1x나노 이상 선단공정 D램 생산 비중이 웨이퍼 투입 기준 70%가량이 될 것"이라며 "1z 공정은 극자외선(EUV)도입과 비도입 투트랙으로 개발하고 있다"고 밝혔다. 또 "현재 시스템LSI 매출 중 이미지센서 비중이 3분의 1 정도"라고 했다.