삼성전자가 올 4분기에 데이터 저장 공간을 64단으로 쌓은 '4세대 V낸드' 메모리 반도체를 출시한다고 11일 밝혔다.

V(vertical·수직)낸드 반도체는 데이터 저장 공간인 셀(cell)을 마치 아파트처럼 층층이 쌓아 올리는 방식으로 저장 공간을 늘리는 신기술이다. 삼성전자는 2013년 24단을 처음 개발했고 이후 32단·48단을 거쳐 올해 64단까지 높이는 것이다. 64단 기술을 적용하면 이전 기술 때와 비교해 한 장의 웨이퍼에서 30% 정도 더 많은 저장용량을 구현할 수 있다. 그만큼 원가 경쟁력이 강화된다.

삼성전자의 반도체 부문을 총괄하는 김기남 사장은 "가까운 미래에 100단 이상을 쌓아 1Tb(테라비트)급 낸드플래시를 출시할 수 있을 것"이라고 말했다. 이는 현재 낸드플래시 주력 제품보다 4배가량 저장용량이 크다.

한편 김 사장은 10일(현지 시각) 미국 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋'에서 평생공로상을 받았다. 2002~2006년까지 4년 동안 삼성전자가 낸드플래시 용량을 2002년 2기가비트(Gb)에서 2006년 32Gb로 매년 2배씩 늘리며 플래시 메모리 기술 발전을 주도한 공로를 인정받았다.