SK하이닉스, 속도 4배 빠른 차세대 D램 업계 첫 개발

SK하이닉스는 고성능 와이드 IO2 모바일 D램(와이드 IO2)을 개발하는데 성공했다고 3일 밝혔다.

이번에 개발한 와이드 IO2는 국제전기전자표준협회(JEDEC)에서 표준화를 진행 중인 차세대 고성능 모바일 D램의 한 종류로, 20나노급 공정을 적용한 8Gb 용량 제품이다.

특히 LPDDR4와 같은 1.1V 동작전압에서 저전력 특성을 강화했으며, 정보입출구의 수를 대폭 늘려 데이터 처리속도를 높인 것이 특징이다.

초당 처리 용량은 기존 LPDDR4 보다 4배 빠른 것으로 현존하는 모바일 D램 가운데 최고 성능이다.

기존 LPDDR4는 3200Mbps 속도로 동작해 32개의 정보입출구로 초당 12.8GB의 데이터 처리가 가능하다. 반면 와이드 IO2는 하나의 정보입출구에서 800Mbps의 속도로 동작하지만 512개의 정보출입구로 초당 51.2GB의 데이터를 처리할 수 있다. SK하이닉스는 현재 주요 SoC(System on Chip) 업체에 샘플을 공급했으며, 내년 하반기부터 양산에 나서 고성능 모바일 D램 시장 공략을 강화한다는 계획이다.

고객사에서는 와이드 IO2와 함께 SoC를 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 시장에 최종 공급할 예정이다.

김진국 SK하이닉스 모바일개발본부장(상무)은 "와이드 IO2 제품을 통해 확대되는 고성능 모바일 D램에 대한 고객의 요구를 만족시킬 것"이라며 "향후에도 지속적으로 고성능, 저전력 제품을 개발해 모바일 D램 시장의 기술 주도권을 확보해 나가겠다"고 말했다.