삼성전자, 3차원 반도체 세계 최초로 양산

삼성전자가 세계 최초로 3차원(3D) 실리콘 관통전극(Through Silicon Via·TSV) 기술을 적용한 메모리 반도체(D램)〈사진〉를 양산하기 시작했다. 기존 D램은 내부 정보를 주고받을 때 금으로 만든 얇은 선을 이용한다. 실리콘 판 위에 그려진 미세한 회로(回路)를 따라 정보가 움직이는 것이다. 그러나 최근 반도체 집적도가 높아지면서 회선(回線)의 길이가 너무 길어져 효율성이 떨어지는 문제가 발생했다. 이번에 양산하는 3D TSV는 얇은 실리콘 판을 여러 층으로 쌓고 구멍을 수백 개 뚫어 회선 대신 구멍을 통해 정보를 보낸다. 쉽게 말해 긴 선을 따라 움직이던 정보가 엘리베이터를 타고 빠르고 효율적으로 목표를 향해 가는 것이다. 삼성전자는 3D TSV 기술을 적용한 D램은 기존 제품보다 데이터 처리 속도가 2배 빠르지만 소비 전력은 2분의 1에 불과하다고 밝혔다.

삼성전자가 이번에 3D TSV 기술을 적용해 양산하기 시작한 제품은 64기가바이트(GB) 차세대 서버용 D램(DDR4·Double Data Rate 4)이다. 이번에 내놓은 제품은 실리콘 기판을 4장 쌓아 놓은 제품이다. 삼성전자 메모리사업부 백지호 상무는 "향후 더 많은 실리콘 기판을 쌓을 수 있어 더 큰 용량의 3D TSV D램을 양산할 수 있다"고 말했다.