SK하이닉스

SK하이닉스는 '실리콘관통전극(TSV·Through Silicon Via)' 기술을 적용한 초고속 메모리(HBM) D램 제품을 개발했다고 26일 밝혔다. 초당 128기가바이트(GB)의 대용량 데이터 전송이 가능해 앞으로 고사양 그래픽, 슈퍼컴퓨터에 널리 쓰일 것으로 보인다.

TSV 기술은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 만들어 전기 신호를 전달하는 패키지 방식으로, 데이터 처리 성능을 높이면서도 제품 크기는 줄일 수 있다.

현재 업계에 나와 있는 최고속 제품인 GDDR5가 초당 28GB의 데이터를 처리하는 것을 감안하면 이보다 4배 빠른 것이다. 전력소비도 40%가량 낮췄다. 향후 관련 제품들의 시장이 형성될 경우 고사양 그래픽, 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 것으로 예상된다.

SK하이닉스는 이번 HBM 제품에 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층했다. 기술적 검증을 위해 그래픽 분야 선두업체인 AMD사와 공동 개발을 진행했다.