삼성전자가 중국에 차세대 낸드 플래시 메모리 생산 라인을 건설한다. 낸드 플래시는 스마트폰·태블릿PC 등 모바일 IT제품의 정보 저장장치로 주로 사용하는 반도체다.

삼성전자는 6일 20나노(1나노는 1억분의 1m) 이하 공정 기술을 적용한 생산라인을 중국에 만들겠다는 내용을 담은 해외 생산라인 설립 신청서를 지식경제부에 제출했다고 밝혔다. 20나노 이하 공정 기술이란 반도체 회로의 선폭(線幅)이 20나노 이하라는 의미다.

삼성전자는 현재 20나노대 공정기술을 이용해 플래시 메모리를 만들고 있으며 10나노대 기술을 개발 중이다. 즉 아직 개발이 끝나지 않은 기술을 적용한 차세대 생산라인이 중국에 들어서는 것이다. 10나노대 공정을 이용해 낸드 플래시를 생산하면 같은 재료를 사용했을 때 20나노급보다 50% 정도 더 많은 제품을 생산할 수 있다.

현재 중국에는 낸드 플래시 생산라인이 없다. 말하자면 삼성전자가 중국 최초의 낸드 플래시 생산라인을 만드는 셈이다.

중국은 세계에서 낸드 플래시를 가장 많이 소비하는 국가다. 이에 따라 중국 정부가 삼성전자에 각종 혜택을 줄 수도 있다는 전망도 나오고 있다.

삼성전자의 해외 반도체 생산라인 설립은 미국 텍사스주 오스틴에 이어 2번째다. 삼성전자는 중국에 공장을 세우는 이유를 "현지 고객 요구에 빨리, 효율적으로 대응하기 위해서"라고 설명했다. 중국은 전 세계에서 팔리는 스마트폰의 37%, 태블릿PC의 96%를 생산한다. 반도체는 모든 국가가 수출입에 세금을 매기지 않는 상품이기 때문에 절세 효과는 기대할 수 없다.

삼성전자는 내년 생산라인을 만들기 시작해 2013년 가동하는 것을 목표로, 중국 정부와 건설 예정지 선정을 위한 협상을 시작한다고 밝혔다.