삼성전자 반도체 핵심 공정 중국간다(종합)

삼성전자(005930)가 중국 현지에 낸드 플래시 메모리 반도체 생산공장을 건설한다. 삼성전자가 해외에 반도체 핵심 전공정(칩 제조)라인을 짓는 것은 미국 텍사스주 오스틴 공장에 이어 두번째다.

삼성전자는 중국 내 낸드플래시 라인 건설 투자를 위해 지식경제부에 해외 생산라인 설립을 위한 신청서를 제출했다고 6일 밝혔다. 새로 설립될 공장에서는 스마트폰·태블릿PC 에 주로 사용되는 20나노급 이하 낸드 플래시 제품을 생산할 계획이다.

삼성전자는 정부에 설립 신청을 하는 동시에 중국 지방 정부와 건설 예정지 선정을 위한 협상을 시작한다. 정부의 승인 절차와 중국과의 협상이 원만하게 진행될 경우, 2012년 생산라인 건설을 시작해 2013년에는 가동에 들어간다는 목표다.

지식경제부는 정부·민간 공동의 ‘전기전자분야 산업기술보호 전문위원회’를 개최한 뒤, 승인 여부를 최종 결정한다. 전문위원회에는 지식경제부·국가정보원 등 정부측 인사 2명과 산업 분야 원로 학자 8명이 참여한다.

삼성전자의 중국 반도체 라인 설립은 세계 메모리 반도체 시장에서 중국의 중요성이 점차 부각되는 것을 감안한 적극적인 대응 전략이다. 낸드 플래시는 또 다른 메모리 반도체인 D램과 달리 완제품 기업들과의 긴밀한 협조가 필요한 분야다. 따라서 고객과 가까운 곳에 공장을 설립하는 것이 비교적 유리하다.

전동수 삼성전자 DS사업총괄 메모리사업부 사장은 “빠른 기간 내에 가동해 글로벌 IT업체의 수요 증가에 차질없이 대응해 나가는 한편 메모리 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 밝혔다.