DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 1200V 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 파운드리(위탁생산) 사업을 본격화한다.
DB하이텍은 8인치 웨이퍼 기반 1200V SiC 모스펫(MOSFET) 공정의 신뢰성 검증을 완료하고 내년 양산을 추진한다고 9일 밝혔다.
SiC는 기존 실리콘(Si)보다 고온·고전압 환경에서 안정적으로 작동해 전기차와 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 사용되는 차세대 전력반도체 소재다. 현재 SiC 반도체는 6인치 웨이퍼 기반 생산이 주류지만, 한 장의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산해 원가를 낮출 수 있는 8인치로 전환하는 추세다.
DB하이텍은 이번 신뢰성 검증을 통해 세계 최초로 8인치 웨이퍼 기반 1200V SiC 파운드리 일괄공정을 구축했다고 설명했다. 반도체 설계부터 제조, 특성 평가, 신뢰성 검증까지 지원하는 체계를 마련해 고객사의 제품 개발을 지원하고 신규 고객 확보에 나설 계획이다.
고객사가 SiC 반도체를 보다 빠르게 설계할 수 있도록 프로세스 디자인 키트(PDK)도 제공한다. PDK는 파운드리의 공정 정보를 반영해 고객사가 반도체를 설계할 수 있도록 지원하는 설계 도구다. DB하이텍은 현재 1·2세대 PDK를 제공하고 있으며 오는 11월 3세대 PDK를 출시할 예정이다. 회사는 이를 활용하면 초기 개발 부담을 낮추고 제품 개발 기간을 1년 이상 단축할 수 있다고 설명했다.
DB하이텍은 올해 3분기부터 기존 협력 고객을 대상으로 SiC 공정 서비스를 시작한다. 내년 2분기부터는 모든 고객사로 서비스를 확대하고 본격적인 양산 체제에 들어갈 계획이다.