삼성전자가 2028년 첨단 D램 생산에 차세대 노광 장비인 '하이(High) NA 극자외선(EUV)'을 적용한다. 삼성전자가 하이 NA EUV를 실제 D램 양산에 적용하는 것은 처음이다.
삼성전자는 네덜란드 반도체 장비업체 ASML과 2028년까지 첨단 D램 제조에 하이 NA EUV를 도입하기 위한 협력을 확대한다고 8일 밝혔다.
하이 NA EUV는 기존 EUV 장비보다 개구수(NA)를 높여 더 미세한 회로를 구현할 수 있는 차세대 노광 기술이다. 기존 EUV의 NA가 0.33인 데 비해 하이 NA EUV는 0.55다. 해상도가 높아지면서 기존 EUV에서 여러 차례 노광해야 하는 일부 공정을 줄일 수 있어 미세화와 공정 단순화에 유리하다.
삼성전자는 하이 NA EUV를 첨단 D램 양산 제품에 적용해 공정 조건과 수율, 생산성 등을 검증할 계획이다. 이를 통해 D램 미세화에 필요한 공정 기술을 확보하고 하이 NA EUV의 양산 적용 시점을 앞당긴다는 방침이다.
삼성전자는 지난 2020년 메모리 업계 최초로 D램 생산에 EUV 공정을 적용했다. 올해 3월에는 하이 NA EUV 장비를 국내에 처음 반입했다.
삼성전자는 ASML이 주도하는 '대형 마스크 컨소시엄'에도 참여해 12인치 포토마스크 개발에 나선다. 현재 반도체 노광 공정에는 주로 6인치 포토마스크가 사용된다. 포토마스크는 반도체 회로 패턴을 웨이퍼에 전사하기 위한 원판으로, 크기를 키우면 한 번에 처리할 수 있는 면적을 확대해 생산성을 높일 수 있다.
삼성전자는 메모리와 파운드리 양산 경험을 바탕으로 12인치 포토마스크 관련 기술 개발과 제조 방식 검증에 참여할 예정이다.
전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 "AI 시대의 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있으며 밸류체인 전반에서 기술 혁신의 중요성을 더욱 높이고 있다"며 "ASML과의 협력을 한층 강화해 '넥스트 AI'를 위한 기술 기반을 마련하겠다"고 말했다.
크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "삼성전자는 오랜 기간 ASML의 중요한 혁신 파트너 중 하나"라며 "AI가 이끄는 새로운 시대를 맞아 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조를 위한 혁신을 이끌어가기를 기대한다"고 말했다.