DB하이텍이 인도에서 차세대 전력반도체 공정 기술을 선보이고 현지 고객 확보에 나선다. 실리콘카바이드(SiC) 공정 검증을 최근 마친 데 이어 갈륨나이트라이드(GaN) 공정도 연내 검증을 완료할 계획이다. SiC와 GaN은 기존 실리콘 기반 반도체보다 높은 전압과 온도에서 작동할 수 있어 전기차와 산업용 전력장치 등에 활용되는 차세대 전력반도체 소재다.
DB하이텍은 오는 9월 16일부터 18일(현지시각)까지 인도 벵갈루루에서 열리는 '일렉트로니카 인디아(electronica India) 2026'에 참가한다고 20일 밝혔다. 일렉트로니카 인디아는 전자부품과 시스템, 응용 제품 등을 다루는 남아시아 전자산업 전시회다.
DB하이텍은 전시회에서 주력 공정인 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)를 비롯해 SiC와 GaN 등 전력반도체 공정 기술과 개발 현황을 소개한다. 현지 팹리스(반도체 설계 전문기업)를 대상으로 신규 파운드리(반도체 위탁생산) 고객도 발굴할 계획이다.
BCD는 아날로그와 디지털 회로, 고전압 전력소자를 하나의 칩에 구현하는 공정이다. 전력관리반도체(PMIC) 등에 주로 활용된다. DB하이텍의 BCD 공정은 누적 웨이퍼 출하량 900만장을 기록했다. 회사는 자동차와 산업용 반도체 등으로 BCD 적용 분야를 넓히고 있다.
차세대 전력반도체 공정 개발도 진행 중이다. DB하이텍은 최근 1200볼트(V) SiC 전력 제어용 반도체 소자(MOSFET) 공정 검증을 완료했다. 650V GaN 공정은 오는 12월까지 검증을 마칠 계획이다. 현재 전략 고객을 대상으로 두 공정을 활용한 제품의 성능 평가를 진행하고 있다.
DB하이텍은 엑스레이와 글로벌 셔터, 단일광자 애벌랜치 다이오드(SPAD) 등에 쓰이는 특화 이미지센서(CIS) 공정과 혼합신호(Mixed-Signal)·무선주파수(RF) 공정도 전시회에서 소개한다.
DB하이텍이 인도 시장 공략을 확대하는 것은 현지 반도체 생태계가 빠르게 커지고 있기 때문이다. 인도 정부가 반도체 산업 육성과 투자 확대를 추진하는 가운데 반도체 설계 서비스를 중심으로 성장한 현지 기업들도 자체 반도체 제품 개발로 사업 영역을 넓히고 있다. 이에 따라 파운드리 수요도 증가할 것으로 DB하이텍은 보고 있다.
DB하이텍 관계자는 "인도는 현지 팹리스와 반도체 생태계가 빠르게 성장하며 새로운 사업 기회가 확대되고 있는 시장"이라며 "이번 일렉트로니카 인디아 참가를 통해 현지 고객과의 접점을 넓히고, 전력반도체 및 특화 공정 경쟁력을 기반으로 신규 사업 기회를 지속 발굴해 나갈 것"이라고 말했다.