SK하이닉스가 샌디스크와 함께 차세대 AI 메모리 기술인 HBF(High Bandwidth Flash)의 첫 표준 규격을 공개했다. 생성형 인공지능(AI) 확산으로 HBM(고대역폭메모리)과 SSD 사이의 성능 격차가 커지자, 두 메모리 계층을 연결하는 새로운 스토리지 기술을 제시한 것이다.
SK하이닉스는 4일(현지 시각) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개막한 세계 최대 플래시 메모리 행사 'FMS 2026'에서 샌디스크와 공동 개발한 HBF 표준 규격을 공개했다고 밝혔다.
HBF는 HBM과 SSD 사이에 위치하는 새로운 메모리 계층이다. HBM 수준의 높은 데이터 처리 성능과 낸드플래시 기반의 대용량 저장 능력을 결합해 AI 추론과 대규모 데이터 처리 환경에서 발생하는 메모리 병목을 줄이기 위한 기술이다.
이번에 공개된 표준은 낸드 다이를 8단과 16단으로 적층하는 구조를 기반으로 최대 512GB 용량을 지원한다. 데이터 전송 속도는 약 0.4TB/s부터 최대 3.0TB/s까지 세 단계로 규정했으며, 프로세서와의 연결 인터페이스에는 업계 표준인 UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express)를 채택했다.
SK하이닉스는 샌디스크와 HBF 표준화를 추진해왔으며, 현재 구글과 텐스토렌트 등도 관련 컨소시엄에 참여하고 있다. 회사는 개방형 표준을 기반으로 AI 스토리지 생태계를 확대해 나간다는 계획이다.
이와 함께 SK하이닉스는 FMS 2026에서 계층형 메모리 전략도 공개했다. 전시 부스에서는 10세대 375단 4D 낸드 웨이퍼와 이를 적용한 제품을 처음 선보였으며, 이를 기반으로 내년 초 고성능·고용량 기업용 SSD(eSSD)를 양산할 계획이라고 밝혔다.
김천성 SK하이닉스 부문장은 "HBF는 메모리와 스토리지의 경계를 확장해 시스템 전반의 효율을 높이는 새로운 아키텍처"라며 "AI 시대에 최적화된 메모리 솔루션을 지속 확대해 나가겠다"고 말했다.
앞서 SK하이닉스는 지난 4월 열린 TSMC 테크놀로지 심포지엄에서도 HBM을 넘어 HBF와 3차원(3D) 적층 D램 등 차세대 AI 메모리 제품군을 확대하겠다는 전략을 공개한 바 있다.