SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다. 삼성전자가 지난달 HBM4E 12단 샘플 공급을 밝힌 데 이어 SK하이닉스도 샘플 공급에 나서면서 차세대 AI 메모리 반도체 시장 경쟁이 본격화하는 모습이다.
SK하이닉스는 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 18일 밝혔다. HBM4E는 HBM4의 후속 제품으로, AI 학습과 추론에 쓰이는 데이터 처리 성능을 높인 초고성능 D램이다.
SK하이닉스의 HBM4E 12단 샘플은 핀당 최대 16Gbps(초당 기가비트)의 데이터 처리 속도 성능을 갖췄다. 12단 적층 기준 용량은 48GB다. 이전 세대인 HBM4와 비교해 에너지 효율은 20% 이상 개선됐다.
HBM4E에는 최신 인터페이스와 설계 최적화도 적용됐다. SK하이닉스는 이를 통해 데이터 전송 지연을 줄이고, 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작이 가능하도록 했다고 밝혔다. 회사는 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 높일 수 있을 것으로 보고 있다.
공정 측면에서는 어드밴스드 MR-MUF(Advanced MR-MUF)를 적용했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓은 뒤 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 공정이다. SK하이닉스는 이 공정을 통해 12단 적층 구조의 안정성을 높이고, 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮췄다.
열 저항 개선은 HBM의 안정성과 직결된다. AI 서버와 고성능 컴퓨팅 환경에서는 메모리가 대량의 데이터를 빠르게 처리하면서 발열 부담이 커진다. 열 저항이 낮아지면 같은 환경에서도 열을 더 효과적으로 제어할 수 있어 고성능 시스템에서 안정적인 동작을 기대할 수 있다.
SK하이닉스는 HBM3·HBM3E·HBM4로 이어지는 양산·공급 경험을 바탕으로 HBM4E도 고객 요구에 맞춰 공급한다는 계획이다. 회사는 주요 고객사와 협업해 적기 양산 체제를 준비하고, AI 시스템의 데이터 처리 병목을 줄이는 데 초점을 맞추겠다고 밝혔다.
HBM4E를 둘러싼 메모리 업체 간 경쟁도 빨라지고 있다. 삼성전자는 지난달 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 밝혔다. SK하이닉스도 이날 샘플 공급을 공식화하면서 차세대 AI 가속기용 메모리 시장을 겨냥한 양사 경쟁이 이어질 전망이다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"며 "파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.