삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 메모리인 8세대 고대역폭메모리(HBM5) 실물 모형(목업)을 처음 공개하며 차세대 HBM 시장 선점 의지를 드러냈다.
송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO)는 2일 대만 타이베이에서 열린 '컴퓨텍스 2026' 현장에서 기자들과 만나 "급변하는 AI 산업에 대응하기 위해서는 메모리와 파운드리, 로직, 패키징을 아우르는 토털 솔루션 경쟁력이 중요하다"고 밝혔다.
삼성전자는 이번 전시에서 HBM5 목업을 처음 공개하고, 차세대 제품에 적용될 핵심 열관리 기술인 'HPB(Heat Path Block)' 구조를 선보였다.
HPB는 고성능 AI 메모리 구동 과정에서 발생하는 발열을 효과적으로 제어하기 위한 기술이다. 다이와 다이 사이에 별도의 열 전달 경로를 형성해 열 저항을 낮추고 방열 효율을 높이는 방식이다.
송 CTO는 "일종의 굴뚝과 같은 열 전달 통로를 추가해 발열을 보다 효과적으로 제어할 수 있도록 설계했다"며 "차세대 고대역폭·고집적 AI 환경에서 HBM 성능과 시스템 효율을 높이는 데 중요한 역할을 할 것"이라고 설명했다.
삼성전자는 HBM5에 자체 파운드리 2나노 공정으로 생산한 베이스 다이를 적용할 계획이다. 이를 통해 메모리와 시스템 반도체 역량을 결합한 차세대 AI 메모리 경쟁력을 강화한다는 전략이다.
회사는 이미 HBM4E 기반 제품에서 HPB 기술 구현과 검증을 완료했으며, HBM5부터 본격 적용할 예정이다.
이와 함께 삼성전자는 지난달 업계 최초로 샘플 출하를 시작한 HBM4E 웨이퍼와 칩셋도 전시했다.
HBM4E는 최선단 1c D램 코어 다이와 삼성전자 4나노 파운드리 공정 기반 베이스 다이를 결합한 제품이다. 핀당 최대 16Gbps 속도를 지원하며 초당 4TB 이상의 데이터 처리 대역폭을 구현할 수 있다.
업계에서는 삼성전자가 HBM4E에 이어 HBM5까지 공개하면서 차세대 AI 메모리 시장 주도권 확보에 속도를 내고 있다는 평가가 나온다.