삼성전자가 인공지능(AI) 반도체 핵심 부품인 고대역폭메모리(HBM) 차세대 제품 'HBM4E' 샘플을 세계 최초로 글로벌 고객사에 공급했다.
올해 2월 6세대 HBM인 HBM4를 세계 최초로 양산 출하한 데 이어, 약 3개월 만에 차세대 제품 샘플 공급까지 시작하면서 AI 메모리 시장 주도권 확보에 속도를 내는 모습이다.
삼성전자는 29일 업계 최고 수준 성능을 구현한 'HBM4E 12단' 샘플을 출하했다고 밝혔다.
이번 제품은 HBM4에서 검증된 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 함께 적용했다. 설계 및 공정 최적화를 통해 성능을 대폭 끌어올렸다는 설명이다.
HBM4E의 핀당 동작 속도는 14Gbps(초당 기가비트)에서 최대 16Gbps까지 지원한다. 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다. 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 구현해 대규모언어모델(LLM)과 차세대 AI 시스템의 데이터 처리 성능을 높였다.
용량도 확대됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트)의 고용량을 구현해 전작 대비 30% 이상 늘어났으며, 향후 32GB(8단), 64GB(16단) 제품까지 라인업을 확대할 계획이다.
전력 효율과 발열 성능도 개선됐다. 삼성전자는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 향상했다고 설명했다.
삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 본격적인 양산 공급에 나설 예정이다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 기술 리더십을 다시 한번 입증했다"며 "선제적인 생산 인프라 투자와 기술 초격차를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장 성장을 주도해 나갈 것"이라고 말했다.
한편 경쟁사인 SK하이닉스도 HBM4E 출시 시점을 앞당기고 있는 것으로 알려지면서 차세대 HBM 시장 경쟁은 더욱 치열해질 전망이다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 당초 올해 하반기 샘플 출하를 계획했으나 개발 속도가 예상보다 빨라지면서 일정 조정을 검토 중인 것으로 전해졌다.