SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 패키지 내부에 냉각 요소를 넣어 발열을 낮추는 차세대 기술을 공개했다.
26일 SK하이닉스는 일체형 냉각 요소인 ICE를 HBM 패키지에 내재한 'iHBM' 기술을 선보였다고 밝혔다. ICE는 전기는 통하지 않지만 열 전도율이 높은 실리콘 소재를 활용해 HBM 내부에 추가 열 배출 경로를 만드는 냉각 요소다.
AI 연산 수요가 커지면서 HBM은 적층 단수 확대와 고속화가 진행되고 있다. 하지만 성능이 높아질수록 발열도 커지는 문제가 발생한다. 특히 HBM 베이스다이와 AI 고속 칩을 연결하는 'D2D PHY' 구간의 발열 제어가 차세대 HBM 경쟁력의 핵심으로 떠오르고 있다.
SK하이닉스의 iHBM은 이 구간에 ICE를 넣어 열이 빠져나갈 전용 경로를 만든 것이 특징이다. 이를 통해 기존보다 열저항을 30% 이상 낮추고, 고온·고부하 환경에서도 안정적인 동작을 유지할 수 있다는 설명이다.
대량 양산성도 검증됐다. SK하이닉스는 이미 시장에서 검증된 MR-MUF 기반 웨이퍼 레벨 패키징 공정을 적용해 대량 생산이 가능하다고 밝혔다. 또 고객사의 기존 시스템 패키지 환경과 호환성이 높아 큰 설계 변경 없이 적용할 수 있다는 설명이다.
SK하이닉스는 iHBM 기술을 HBM5 등 차세대 제품부터 적용할 계획이다. 이를 통해 AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅 환경에서 요구되는 열 관리 성능을 높이고, 시스템 안정성과 운영 효율을 강화하겠다는 구상이다.
이강욱 SK하이닉스 부사장은 "iHBM은 메모리 설계 역량과 첨단 패키징 기술을 결합한 발열 최소화 솔루션"이라며 "AI 메모리 리더십을 더욱 공고히 하겠다"고 말했다.