대만 TSMC가 내년부터 자국뿐 아니라 미국, 일본 공장에서도 3나노(나노미터·10억분의 1m) 반도체 양산을 본격화할 것으로 알려졌다. 현재 시장 수요를 감당하지 못하는 상황에서 해외 공장 양산을 가속화해 경쟁사인 삼성전자를 견제한다는 방침이다.
17일 중국시보 등 대만언론에 따르면 웨이저자 TSMC 회장은 전날 올해 1분기 실적설명회에서 인공지능(AI) 수요로 인해 내년부터 대만, 미국, 일본에 3나노 공정 반도체 양산에 돌입한다고 밝혔다.
웨이 회장은 3나노 신규 공장의 동시 확충을 결정했다면서 대만 남부 타이난 과학단지에 3나노 공장을 건설해 내년 상반기에, 미국 애리조나 2공장은 3나노 공정을 채택해 내년 하반기에 양산에 들어간다고 설명했다. 3나노를 채택한 일본 구마모토 2공장은 2028년 양산을 시작할 예정이다.
그는 생성형 AI에서 에이전트형 AI로 전환하면서 첨단 반도체 소비가 크게 늘고 있다며 생산능력을 선제적으로 확보해 고객사의 첨단 공정에 대한 강한 수요를 충족시킬 예정이라고 말했다. 이어 관련 주문이 경쟁사(삼성전자)에 넘어가지 않도록 막대한 설비 투자를 단행한다고 덧붙였다.
웨이 회장은 2나노 공정 제품은 대만 신주와 가오슝 등 공장에서 올해 4분기에 양산될 것이라고 밝혔다. 이어 2세대 나노시트 트랜지스터 구조를 채택한 최첨단 A14(1.4나노) 공정은 2028년 양산될 예정이라고 전했다.