한화세미텍이 차세대 반도체 패키징 시장의 핵심 기술로 손꼽히는 '하이브리드 본더' 개발에 성공했다고 25일 밝혔다. 한화세미텍은 개발을 마친 '2세대 하이브리드 본더'를 올해 상반기 중 고객사에 인도해 성능 테스트를 진행할 예정이라고 설명했다.
하이브리드 본딩은 고대역폭 메모리(HBM)의 성능과 생산 효율을 획기적으로 끌어올릴 차세대 기술로 주목받고 있다. 칩과 칩을 구리(Cu) 표면에 직접 접합하는 기술로, 16~20단의 고적층 HBM도 얇은 두께로 제조가 가능하다. 칩과 칩 사이를 연결하던 범프가 없어 기존 제품 대비 데이터 전송 속도가 빠르고 전력 소모도 적다.
한화세미텍의 'SHB2 Nano'에는 위치 오차 범위 0.1㎛(마이크로미터) 단위의 초정밀 정렬 기술이 적용됐다. 0.1㎛는 머리카락 굵기의 1000분의 1 수준이다. 2022년 1세대 하이브리드 본더를 고객사에 공급한 데 이어 2세대 개발까지 성공한 만큼, 빠른 시일 내에 양산용 장비를 시장에 선보인다는 계획이다.
한화세미텍 관계자는 "첨단 기술 개발에 대한 지속적인 투자로 하이브리드본딩의 기술적 난제를 풀고 마침내 제품을 시장의 본궤도에 올릴 수 있게 됐다"면서 "이번 신기술 개발로 첨단 패키징 시장을 선도할 수 있는 또 다른 발판이 마련됐다"고 했다.
하이브리드본더 개발과 함께 TC본더 시장에서의 입지도 더욱 강화한다는 방침이다. 한화세미텍은 작년 한 해 TC본더 제품으로 900억원 이상의 매출을 올렸으며, 올해만 1, 2월 연달아 두 차례의 공급 계약이 성사됐다. 차세대 HBM 장비 시장 공략을 위한 2세대 TC본더도 개발하고 있다. 올해는 TC본더 신제품과 칩과 칩 사이 간격을 줄인 플럭스리스 TC본더 등을 잇달아 선보일 계획이다.