지능형 전력·센싱 기술 기업인 온세미가 글로벌파운드리와 질화갈륨(GaN) 전력 제품·제조를 협력할 계획이라고 22일 밝혔다. e모드(게이트에 일정 수준 이상의 전압을 줘야 켜지는 반도체) 200㎜ 실리콘 기판 GaN 공정(200㎜ eMode GaN-on-silicon)을 기반으로 제품을 개발하겠다는 취지다. 온세미는 이번 협력을 기반으로 고성능 GaN 기기와 통합 파워 스테이지 로드맵을 가속할 계획이다.
디네시 라마나선 온세미 기업 전략 부문 수석 부사장은 "이번 협력은 온세미의 시스템, 제품 전문성과 글로벌파운드리의 첨단 GaN 공정을 결합하는 것"이라며 "고성장 시장을 위한 새로운 650V 전력 디바이스를 제공할 예정"이라고 말했다.
온세미는 새롭게 개발하는 GaN 제품이 실리콘 드라이버·컨트롤러와 결합, AI 데이터센터·전기차·항공우주 등의 분야에서 사용될 수 있다고 기대했다. 온세미는 2026년 상반기부터 고객에게 샘플 공급을 시작할 계획이다.
마이크 호건 글로벌파운드리 최고사업책임자는 "당사의 200㎜ GaN-on-Si 플랫폼과 온세미의 심층적인 시스템·제품 전문성을 결합할 것"이라며 "글로벌파운드리는 온세미를 핵심 파트너로 삼고 AI, 전기화, 지속 가능한 에너지 분야의 진화하는 요구를 충족하는 GaN 반도체를 지속적으로 발전시켜 나갈 것"이라고 말했다.