SK하이닉스가 세계 최초로 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 개발을 완료해 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다. SK하이닉스는 엔비디아 등 HBM4 고객사가 요구하는 품질 기준을 충족했다고 판단해 경쟁사에 앞서 제품을 적기 공급하기 위해 양산 체제를 발 빠르게 구축한 것으로 보인다.
이날 SK하이닉스는 새롭게 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다고 설명했다. SK하이닉스 관계자는 "HBM4를 고객 시스템에 도입될 경우 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 전망된다"고 했다.
SK하이닉스는 HBM4 개발에 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1b) D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다. 또, 회사는 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었다고 설명했다.
MR-MUF 공정은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받는다. SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF를 통해 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 열이 전달될 때 발생할 수 있는 반도체의 휨 현상 제어 기능도 향상시킬 수 있다고 설명했다.
김주선 SK하이닉스 AI 인프라 사장은 "이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품"이라며, "당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급할 것"이라고 했다.