삼성전자는 31일 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "10나노급 6세대(1c) 나노 공정의 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 개발을 완료해 주요 고객사에게 샘플을 이미 출하했다"며 "당사의 HBM4는 선단 로직 공정을 베이스 다이에 적용하고 전 세대인 HBM3e 대비 성능, 에너지 효율 크게 개선됐다"고 했다.

그러면서 "내년 HBM4 수요 증가에 대비해 1c 시설 투자를 지속 확대할 예정이다. 차세대 적층 기술인 하이브리드 본딩 관련해서는 최근 고객사 관심 높아져 해당 주요 고객과 양산 고려한 기술 협의를 진행 중"이라고 덧붙였다.