이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)이 11나노급 D램과 9세대 V낸드 집적도를 극한의 수준으로 높여 나가겠다는 포부를 밝혔다.
이 사장은 17일 삼성전자 반도체뉴스룸에 올린 기고문에서 "현재 개발 중인 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것"이라며 "9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다"고 전했다.
이 사장은 "앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1천단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다"며 "D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구 개발하고 있으며, V낸드는 단수를 늘리면서도 높이는 줄이고 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 강점을 고도화할 것"이라고 설명했다. 그러면서 "V낸드의 입출력 스피드를 극대화하기 위해 신구조 도입을 준비하는 등 새로운 가치 창출을 위한 차세대 혁신 기술을 착실히 개발 중"이라고 덧붙였다.
최근 삼성전자는 업계 최고 용량인 32기가비트(Gb) DDR5 D램 개발에 성공했다. 이 사장은 "향후 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 1테라바이트(TB) 용량의 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션으로 확장해 나갈 것"이라며 "여기에 한 걸음 더 나아가 CXL 메모리 모듈(CMM) 등의 새로운 인터페이스를 적극 활용해 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 확장하는 미래를 꿈꾸고 있다"고 했다.
이 사장은 인공지능(AI) 시대 핵심 제품으로 떠오른 고대역폭 메모리(HBM)에 대해서도 자신감을 내비쳤다. 삼성전자는 현재 HBM3를 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 개발 중이다. 이 사장은 "다년간의 양산 경험을 통해 검증된 기술력과 다양한 고객과의 파트너십을 적극 활용해 최고 성능의 HBM을 제공하고 향후 고객 맞춤형 HBM 제품까지 확장하는 등 최상의 솔루션을 공급할 것"이라고 했다.
저전력 특화 제품인 LPDDR D램은 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate) 공정을 적용해 고성능을 구현하는 동시에, LPDDR 패키지 기반 모듈 제품으로 PC 시장은 물론 데이터센터로 응용처를 확대한다는 계획이다.
또 메모리 병목현상을 개선하기 위해서 데이터 연산 기능을 메모리 칩 내부 혹은 모듈 레벨에서 구현하는 PIM, PNM 기술을 HBM, CMM 등의 제품에 적용, 데이터 연산 능력을 획기적으로 개선하는 동시에 전력 효율을 높이는 데 집중할 것이라고 전했다. 서버 스토리지 역시 응용처에 따라 용량을 변화시키고, 페타바이트(PB)급으로 확장할 수 있는 PB SSD를 곧 선보일 예정이다.
삼성전자는 미래 준비를 위해 고부가 제품과 선단 공정 생산 비중을 확대하고, 연구개발(R&D) 투자를 강화한다는 계획이다. 이 사장은 "고부가 제품과 선단 공정의 생산 비중을 높이고, 초거대 AI 등 신규 응용처에 대한 메모리 수요에 적기 대응해 사업의 가치를 높이는 데 집중하고 있다"며 "동시에 투자는 지속하면서 수요 변동성과 메모리 제품의 긴 생산 리드 타임을 극복하기 위해 메모리 라인 운영을 고도화해 나갈 것"이라고 했다.
삼성전자 메모리 사업을 시작한 기흥캠퍼스에 첨단 반도체 R&D 라인을 구축하는 등 미래를 위한 투자를 이어갈 방침이다. 아울러 고객·파트너사와 협력을 확대해 상품 기획, 기술 개발, 품질 전반에 걸쳐 새로운 제품과 시장을 개척하겠다고 강조했다. 이 사장은 "초일류 기술을 기반으로 지속적인 도전과 혁신을 통해 고객과 함께 성장하며 더 나은 미래를 열어갈 것"이라고 전했다.
삼성전자는 오는 20일(현지시각) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 메모리 테크 데이 2023′을 열고 최신 메모리 반도체 기술과 제품, 미래 전략을 소개할 예정이다.