삼성전자(005930)가 업계 최초로 12나노급 32Gb(기가 비트) DDR5 D램을 개발했다고 1일 밝혔다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다.
삼성전자는 1983년 64Kb(킬로비트) D램을 개발한 후 40년 만에 D램 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다. 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어, 3개월여 만에 32Gb 개발에 성공했다. 삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산할 계획이다.
이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처(설계도)를 개선해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현했다. 이에 128GB(기가바이트) 모듈을 실리콘 관통 전극(TSV) 공정없이 제작할 수 있게 됐다.
또한 동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있다. 삼성전자 측은 “데이터센터 등 전력 효율을 중시하는 IT 기업들에 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다”고 했다.
삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발에 이어 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이다. 또 인공지능(AI) 시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 예정이다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 “이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB(테라바이트) 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다”며 “삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것”이라고 말했다.