SK실트론은 11일 영국 웨이퍼 제조사 IQE와 질화갈륨(GaN) 웨이퍼(반도체 원판)와 관련한 전략적 협력협약(SCA)를 체결했다고 밝혔다.
SK실트론에 따르면 이번 협약의 체결식은 지난 6일 구미 본사에서 이뤄졌다. 협력 대상인 GaN 웨이퍼는 무선통신・전력반도체 소재로 각광받고 있다. 두 회사는 고객사 요구에 맞춰 맞춤형 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 아시아 시장 마케팅을 통한 시장 확대를 위해 협력하기로 했다.
영국 IQE는 첨단 화합물 반도체 웨이퍼와 소재 솔루션을 전세계 반도체 제조사에 공급하고 있다. 기술 진입장벽이 높은 화합물 에피택셜 웨이퍼 시장에서 글로벌 1위를 차지하고 있다. 에피택셜 웨이퍼는 고성능・고품질 트랜지스터를 위해 특별하게 만들어지는 웨이퍼를 의미한다.
GaN 웨이퍼는 실리콘(Si)웨이퍼와 실리콘카바이드(SiC)웨이퍼 위에 얇은 GaN 막을 씌우는 방식으로 만든다. 기존 웨이퍼에 비해 고전압 환경에서 전력변환 효율이 높은 특징을 지닌다. 급속충전 등 고출력과 내열성을 요하는 전기차와 스마트기기, 5세대 이동통신(5G) 기반 고속 네트워크 장비 등 다양한 분야에서 사용되고 있고, 수요도 증가 추세에 있다.
장용호 SK실트론 사장은 "첨단소재 분야에서 양사가 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 마케팅을 통해 아시아 시장 확장의 기반을 마련했다"라며 "IQE와의 협력이 획기적인 성공으로 이어져 더 다양한 분야에서의 협력 관계로 발전하길 기대한다"라고 말했다.
아메리코 레모스 IQE 최고경영자(CEO)는 "IQE의 GaN 웨이퍼 제조기술과 SK실트론의 Si∙SiC 웨이퍼 역량의 시너지를 통해 혁신적인 솔루션을 출시할 것이다"라며 "아시아 시장 확장은 IQE의 핵심 과제로 첨단소재 분야에서 세계적으로 인정받는 선두기업과 협력하게 돼 기쁘다"고 했다.