반도체 제조 전문 기업 알에프세미는 5일 캐나다 갠시스템스(GaN Systems)와 질화갈륨(GaN) 전력반도체 제품 개발과 시장 확대를 위한 업무협약을 체결했다고 밝혔다.
알에프세미에 따르면 갠시스템스는 GaN 전력반도체 분야에서 세계적인 기술력을 보유하고 있는 업체로, 650V(볼트)급 GaN 전력반도체 기술로 시장을 주도하고 있다.
차세대 전력반도체로 주목받고 있는 GaN 전력반도체는 실리콘에 질화갈륨을 입혀 제작된다. 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 대비 가격 경쟁력이 뛰어나다. 사용 전압이 낮지만 고속 스위칭이 가능해 휴대폰, 노트북, 가전제품 전원 장치, 충전기 등 소형가전에 주로 사용한다. 최근에는 전기차 내부 전원 장치와 자율주행용 라이다 센서에 탑재되는 추세다.
알에프세미는 전력반도체 패키지를 위해 최근 개발한 가변 적층형 방열판 패키지 기술을 제품 개발에 적용할 예정이다. 이 기술은 기존 패키지 대비 열 방출이 뛰어나 고온에서도 안정적인 동작을 지원한다.
이진효 알에프세미 대표는 “차세대 전력반도체인 SiC 전력반도체 파운드리(위탁 생산)에 이어 GaN 전력반도체 제품 개발을 통해 회사 성장에 기여하겠다”라고 했다.
한편 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 전력반도체 시장은 지난해 7800만달러(약 1068억원)에서 오는 2026년 11억달러(약 1조5061억원)로 성장이 기대된다.