삼성전자 파운드리 공장이 위치한 경기 평택캠퍼스. /삼성전자 제공

삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 회사가 올해 1분기 조(兆)단위 시설투자를 이어가고 있다. 다만 두 회사 모두 최근 불거지고 있는 반도체 장비 공급난을 경계하고 있다. 돈이 있어도 투자가 원활하게 이뤄지지 않을 가능성이 있다는 것이다.

17일 삼성전자 분기보고서에 따르면 회사는 올해 1분기 시설투자에 7조9227억원을 집행했다. 대부분은 반도체(DS)부문과 삼성디스플레이(SDC) 등의 첨단공정 증설과 전환, 인프라 투자에 쓰였다. 구체적으로는 DS부문의 경우 6조6599억원을, 삼성디스플레이는 7074억원의 투자가 이뤄졌다.

삼성전자 반도체 부문의 올해 1분기 시설투자는 메모리의 경우 하반기 완공을 앞둔 평택 제3공장(P3) 인프라 투자에, 또 기존 경기 화성과 평택, 중국 시안 공정전환을 중심으로 투자했다. 파운드리의 경우 5㎚(나노미터・10억분의 1m) 이하 첨단공정 개발과 생산능력 구축에 시설투자비가 사용됐다.

삼성전자 반도체의 올해 1분기 투자액은 지난해 같은기간 8조4828억원에 비해 약 1조8000억원 줄어든 것이다. 최근 이어지고 있는 반도체 장비 공급난에 영향을 받은 탓이다. 장비 투자는 주문 뒤 생산 라인에 장비가 설치가 완료됐을 때 투자비가 집행되는 구조다. 삼성전자 측은 "장비 도입 리드타임(주문부터 공급까지 걸리는 시간)이 길어지고 있는 것이 사실이다"라며 "중장기 수요 대응을 위한 적정 수준의 인프라와 선단기술 투자를 지속하고, 단기적으로 업황과 관련한 설비 투자를 운영하고 있다"고 했다.

SK하이닉스 이천캠퍼스. /SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 1분기 4조6930억원을 시설투자비로 썼다. 이는 지난해 4조3510억에 비해 다소 늘어난 것이다. 회사는 1분기 반도체 장비 등 생산능력 증가를 위한 보완 투자 성격이라고 1분기 투자를 설명했다.

다만 SK하이닉스 역시 반도체 생산을 위한 장비 수급에 어려움을 겪고 있는 것이 사실이다. 노종원 SK하이닉스 사업총괄 사장은 "장비 리드타임 이슈는 매우 실제적인 문제다"라며 "특히 1a ㎚(나노미터)나 176단 낸드와 같은 최신 기술의 생산능력을 높이는 데 있어 현실적인 문제를 유발하고 있다"고 했다.

이어 노 사장은 "일반적으로 메모리 회사에서 연간 시설투자의 상당 부분이 상반기에 집행되고, 집행된 투자를 통해 연간 비트그로스(bit Growth·메모리 최소 단위인 비트(Bit)의 성장률로, 메모리 사업의 성장 정도를 나타내는 수치)를 달성하는 형태다"라며 "상반기 투자가 (장비 수급난으로) 일부 지장 받으면서 연간 계획했던 생산 비트그로스가 소폭 차질이 있을 것으로 보이고, 생산성 향상으로 이를 보완하기 위한 노력을 하고 있다"고 했다.