삼성전자는 8일 낸드플래시 부문에서 이미 200단이 넘는 8세대 V낸드 기술을 확보했으며, 향후 1000단 낸드 시대도 주도해나가겠다는 자신감을 드러냈다.
송재혁 삼성전자 플래시 개발실장(부사장)은 이날 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문에서 "낸드플래시도 언젠가는 높이의 한계에 마주하게 될 수 있다"며 "삼성전자는 업계 최소 셀사이즈를 구현한 3차원 스켈링(3D Scaling) 기술로 가장 먼저 높이의 한계를 극복하는 회사가 될 것이다"라고 했다.
낸드플래시는 D램과 함께 데이터를 저장하는 메모리 반도체로, 미국 마이크론은 지난해 11월 세계 최초로 176단 낸드를 개발하는데 성공했다고 밝혔다. 삼성전자가 공개한 최신 낸드 기술은 현재 128단에 머물고 있다.
송 부사장은 "삼성전자가 세계 최초로 개발한 V낸드의 단수 경쟁이 치열해지면서 똑같은 단수여도 높이를 최대한 낮게 쌓아 크기를 줄이는 것이 핵심 경쟁력이 됐다"며 "삼성전자가 올해 하반기 출시할 7세대 V낸드는 3차원 스켈링 기술로 체적을 최대 35% 줄였다"고 했다.
이는 마이크론을 포함한 경쟁업체의 6세대 낸드와 비슷한 크기로, 같은 176단으로 적층했더라도 삼성전자 낸드의 크기가 더 작아 우수하다는 점을 강조한 것이다.
송 부사장은 "삼성전자는 이미 200단이 넘는 8세대 V낸드 동작 칩을 확보한 상황이다"라며 "시장 상황과 고객들의 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다"라고 했다.
이어 "삼성전자는 한 번에 100단 이상을 쌓고 10억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 '싱글스택 에칭' 기술력을 가진 유일한 기업이다"라며 "향후 높이의 물리적 한계를 극복하고 초고단으로 갈 수 있는 기술 리더십을 확보하고 있다"고 덧붙였다.
송 부사장은 "V낸드의 미래는 앞으로 1000단 이상을 바라보고 있다"며 "향후 1000단 V낸드 시대에도 삼성전자의 혁신적인 기술력을 기반으로 시장을 주도할 것으로 생각한다"고 했다.
삼성전자는 2002년 이후 지난해까지 플래시 메모리 시장에서 19년 연속 점유율 1위 자리를 유지하고 있다.