삼성전자의 고대역폭 메모리(HBM)가 미국 반도체업체 엔비디아의 테스트를 아직 통과하지 못했다고 로이터통신이 복수의 소식통을 인용해 24일(현지 시각) 보도했다.
로이터는 소식통을 이용해 “발열과 전력소비 문제로 인해 엔비다아의 테스트를 진행 중”이라고 전했다. 삼성전자는 5세대인 HBM3E를 엔비디아에 납품하기 위해 테스트를 진행 중이다. 하지만 승인 시간이 예상보다 지연되고 있다.
로이터는 “삼성은 지난해부터 HBM3와 HBM3E에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하려고 노력해 왔다”며 “최근 삼성의 8단 및 12단 HBM3E 칩에 대한 테스트 실패 결과가 4월에 나왔다”고 했다. 이어 로이터는 “문제가 쉽게 해결될 수 있는지 여부는 명확하지 않지만 엔비디아의 요구 사항을 충족하지 못하면서 삼성의 경쟁사인 SK 하이닉스보다 뒤처질 수 있다는 우려가 있다”고 했다.
HBM은 D램 여러개를 수직으로 연결해 데이터 용량과 처리속도를 높인 반도체다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성형 인공지능(AI)을 구동하려면 HBM이 필요하다. HBM은 SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 개발했다.
앞서 젠슨황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 지난 3월 미국 새너제이에서 열린 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2024′에서 삼성전자를 “비범한 기업”이라며 “삼성전자의 HBM을 테스트하고 있다”고 말했다.
삼성전자는 로이터에 HBM은 ‘고객 요구에 따른 최적화 프로세스’가 필요한 맞춤형 메모리 제품이라며 고객과의 긴밀한 협력을 통해 제품 최적화를 진행 중이라고 했다.