내년 양산 7세대 V낸드에 '더블 스택' 적용… 160단 이상 예상
스택 하나로 128단 쌓은 삼성전자 "단순 계산하면 가능"
삼성전자가 7세대 V낸드(vertical NAND)에 도입할 ‘더블 스택’ 기술로 최대 256단 낸드 플래시 개발이 가능하다고 밝혔다.
1일 삼성전자에 따르면 이 회사 한진만 메모리사업부 마케팅팀 전무는 전날 있었던 ‘삼성전자 투자자 포럼 2020’에서 "차세대 V낸드에 ‘투 스택(Two Stack)’ 기술을 적용할 예정"이라며 "현재의 6세대 V낸드는 ‘싱글 스택’이 적용돼 128단을 쌓는데, 투 스택 기술을 적용할 경우 단순 계산으로 256단 적층이 가능하다"고 했다.
투 스택(더블 스택)은 회로에 전류가 흐를 수 있게 두 번에 나눠 구멍을 뚫고 적층 작업을 마친 낸드 플래시 두 개를 이어 적층 단수를 높이는 기술이다. 공정 숫자가 많고 재료도 더 들어가 원가 상승 우려가 있다.
삼성전자는 싱글 스택만으로 128단 낸드플래시(6세대 V낸드) 양산에 성공했지만, 그 이상의 적층에는 더블 스택 적용이 불가피 할 것으로 판단한다. 이에 따라 7세대 V낸드부터 더블 스택을 도입할 예정이다. 내년 양산 계획이 잡힌 7세대 V낸드의 적층 단수는 현재 공개되지 않았다. 업계는 160단 이상을 예상하고 있다.
한 전무는 "실제 적층 단수는 소비자 수요와 시장 상황 등을 고려해 내부 전략에 따라 달라질 것"이라며 "‘얼마나 쌓을 수 있느냐’가 아니라 ‘현시점에서 시장에 최적화된 단수가 무엇이냐’의 문제"라고 했다.
이어 한 전무는 "낸드플래시 수요는 스마트폰 5G 전환과 서버 SSD 수요로 2024년까지 약 30~35% 규모의 연평균 성장률을 보이고, D램은 모바일과 서버를 중심으로 15~20%의 연평균 성장률을 기록할 것"이라고 했다.
시장조사업체 옴디아에 따르면 지난해 말 기준 낸드점유율은 삼성전자가 35.9%로 업계 1위다. 그 뒤를 일본의 키옥시아가 19.0%로, 미국의 웨스턴 디지털이 13.8%로 각각 쫓고 있다. 이어 마이크론(11.1%)과 SK하이닉스(9.9%), 인텔(9.5%) 순이다.
한 전무는 "코로나19는 디지털 전환을 가속해 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체의 수요를 높였다"며 "삼성의 차별화된 극자외선(EUV) 시스템을 기반으로 첨단 공정을 선도해 시장의 높은 수요에 부응할 것"이라고 했다.