현 주력 D램서 EUV 기술 검증 완료
차세대 D램에 적용하면 생산성 2배 향상, 수율·성능도 개선
올 하반기 가동하는 신규 전용라인서 내년부터 본격 양산
삼성전자가 메모리 반도체 업계 최초로 EUV(극자외선) 공정을 적용해 D램을 양산할 수 있는 채비를 갖췄다. EUV는 빛으로 웨이퍼(반도체 원판)에 회선을 그리기 때문에 회로의 선폭을 줄여 생산성을 극대화하고 성능·수율(완제품 비율)을 향상시킬 수 있다.
삼성전자는 올해 하반기부터 EUV 전용 신규 생산라인인 평택 ‘V2’를 가동하고, 내년부터 EUV 공정을 전면 적용한 차세대 D램 제품을 내놓는다는 계획이다.
삼성전자는 25일 EUV 공정을 적용해 1세대 10나노급(1x) D램(DDR4) 모듈 100만개를 글로벌 고객사에 공급해 평가를 완료했다고 밝혔다. 1세대 10나노급 D램은 삼성전자가 2016년부터 양산하기 시작해 현재 고객사들이 주로 채택하고 있는 주력 제품이다.
삼성전자는 이 같은 EUV 양산 기술을 3월 기술 개발을 마친 차세대 D램인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)에 전면 적용하기 위한 양산 기술 개발에 돌입했다. EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급 D램은 이번에 검증받은 주력 1세대 10나노급 D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성이 2배 높아진다고 회사 측은 설명했다.
삼성전자 메모리사업부 D램개발실 이정배 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다"고 말했다.