삼성전자는 무선 통신 성능을 강화한 차세대 5세대(G) 밀리미터파(mmWave) 기지국용 무선
통신 핵심칩(RFIC) 개발에 성공했다고 22일 밝혔다.
이 칩은 신호 대역폭을 기존 800MHz에서 1.4GHz로 75% 확대했다. 노이즈와 선형성 특성을 개선해 송수신 감도를 향상시켜 최대 데이터 전송률과 서비스 범위도 늘렸다. 칩 크기는 기존보다 약 36% 작아졌다. 저전력 기능과 방열구조물 최소화로 5G 기지국을 더욱 소형화할 수 있다. 삼성전자 관계자는 "차세대 무선 통신 핵심칩은 지원 주파수와 통신 성능을 개선하면서도, 저전력 성능은 업계 최고 수준"이라고 말했다.
새 제품은 28GHz과 39GHz에 대응해 이 대역을 5G 상용주파수로 선정한 미국, 한국 등에서 사용 가능하다. 삼성전자는 올해 2분기부터 새 RFIC를 양산할 예정이다. 유럽, 미국에서 추가 할당 예정인 24GHz, 47GHz 주파수 대응 칩은 올해 안에 추가 개발한다.
삼성전자는 디지털-아날로그변환 칩(DAFE) 자체 개발에도 성공했다. 디지털-아날로그변환 칩은 5G 초광대역폭 통신에서 디지털 신호와 아날로그 신호를 상호 변환하는 칩이다. 5G 기지국에 적용하면 제품 크기와 무게, 전력 소모를 약 25% 줄일 수 있다.
전경훈 삼성전자 네트워크사업부장 부사장은 "삼성전자는 현재까지 국내외 핵심 사업자들에게 3만6000대 이상의 5G 기지국 공급을 완료했다"며 "5G 시장 선두업체로서 초고속·초저지연·초연결 인프라 확산을 가속화하고 4차 산업혁명 시대를 열어 새로운 변화를 이끌겠다"고 말했다.