국내 연구진이 1나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m)보다 작은 크기의 반도체를 실리콘 기판에 만들 수 있는 기술을 개발했다.
안종렬 성균관대 물리학과 교수팀은 1㎚ 이하의 금속선을 반복적으로 배열하는데 성공했다고 9일 밝혔다.
실리콘 반도체의 집적도는 꾸준히 향상돼왔다. 하지만 ㎚급 반도체 제작에는 어려움이 있다는 지적이 많았다. 실리콘 원자 1개의 크기가 ㎚보다 커 반도체 크기를 줄일 경우 실리콘 원자의 특성이 사라질 수 있다는 우려가 있었기 때문이다.
연구팀은 현재 양산되고 있는 반도체에 사용되는 실리콘 기판위에 서로 다른 특성을 지닌 1㎚ 이하의 금속선을 반복적으로 배열했다. 이후 두 금속선 가운데 하나의 금속선만을 선택해 특성을 제어하는 데 성공했다.
안 교수는 “실리콘 기판 위에 놓인 1㎚ 이하 금속선을 선택적으로 제어했다는 건, 1㎚ 이하의 반도체를 실제로 제작할 수 있다는 의미와 같다”며 “향후 5~10년 이내에 상용화가 가능할 것으로 본다”고 말했다.
이번 연구결과는 나노분야 권위지인 ‘나노레터스’ 지난달 15일자에 실렸다.