삼성 세계최초 3세대 D램 개발

삼성전자가 세계 최초로 3세대 10나노급 D램 반도체를 개발했다고 21일 밝혔다. 2세대 D램을 개발한 지 16개월 만에 차세대 제품을 선보인 것이다. 1㎚(나노미터·10억분의 1m)는 머리카락 굵기의 10만분의 1이다.

21일 삼성전자에 따르면 3세대 D램 신제품은 이전 세대 제품보다 선폭(線幅)을 더 줄여서 만든 제품이다. 삼성전자는 3년 전 처음으로 회로 선폭을 10나노대로 줄인 D램을 생산하기 시작했다. 이 제품을 1세대로 정하고 이후 조금씩 선폭을 줄인 2·3세대를 연이어 내놓고 있다. 이번 3세대는 1세대와 비교하면 선폭이 10% 이상 줄었다. 삼성은 3세대 D램의 정확한 선폭을 수치로 밝히지는 않고 있다. 신제품은 올 하반기부터 본격 양산·판매한다.

메모리 반도체 업계에서 회로를 그리는 선폭이 미세할수록 기술 수준이 높은 것으로 본다. 선폭이 줄어들수록 웨이퍼 한 장에서 생산하는 D램의 개수가 많아지는 데다 반도체의 전력 소비량이 줄어든다. 저렴해진 원가로 더 좋은 품질의 제품을 만드는 셈이다. 삼성전자는 이번 신제품이 전 세대와 비교했을 때 생산성이 20% 늘었고 데이터 처리 속도는 빨라졌다고 밝혔다.

삼성전자 메모리사업부 이정배 부사장은 "미세공정의 한계를 극복하면서 차세대 메모리 반도체를 빠르게 출시하고 있다"며 "앞으로도 프리미엄 D램 라인업 확대에 지속적으로 투자해 미래 기술을 선도하겠다"고 말했다.