삼성전자가 세계 최초로 18나노 D램 메모리 반도체 양산에 성공했다. 2014년 세계 최초로 20나노 D램을 양산한 삼성전자는 이번에 반도체 미세 공정의 한계로 여겨지던 10나노급 D램 양산에 성공함에 따라 경쟁업체와의 격차를 더 벌릴 수 있는 기반을 마련했다.

삼성전자는 5일 "2월부터 세계 최소 크기의 18나노(1나노미터는 10억분의 1m) D램을 양산하고 있다"며 "18나노 D램은 기존 20나노미터에 비해 생산성이 30% 정도 높다"고 밝혔다. 삼성 관계자는 "18나노 D램은 20나노 D램에 비해 연산 속도가 30%가량 빠르면서도 소비전력은 20% 이상 적다"고 말했다.

삼성전자는 18나노 D램에 신기술을 적용했다. 실리콘 원판에 회로를 기존 대비 4배 촘촘하게 배열하는 기술이 대표적이다. 이를 통해 원판에 빛을 쪼여 회로를 새기는 노광(露光) 공정의 효율을 4배로 올렸다.