DBハイテックが8インチSiC量産へ体制構築

DBハイテックが8インチウエハー基盤の1200Vシリコンカーバイド（SiC）パワー半導体ファウンドリー（受託生産）事業を本格化する。

DBハイテックは8インチウエハー基盤の1200V SiCモスフェット（MOSFET）工程の信頼性検証を完了し、来年の量産を推進すると9日明らかにした.

SiCは従来のシリコン（Si）よりも高温・高電圧環境で安定的に作動し、電気自動車や再生可能エネルギー、産業用電力機器などに使用される次世代パワー半導体材料だ。現在、SiC半導体は6インチウエハー基盤の生産が主流だが、1枚のウエハーからより多くのチップを生産して原価を引き下げられる8インチへ移行する趨勢だ。

DBハイテックは今回の信頼性検証を通じ、世界で初めて8インチウエハー基盤の1200V SiCファウンドリー一貫工程を構築したと説明した。半導体の設計から製造、特性評価、信頼性検証まで支援する体制を整え、顧客企業の製品開発を支援し新規顧客の確保に乗り出す計画だ。

顧客企業がSiC半導体をより迅速に設計できるよう、プロセス・デザイン・キット（PDK）も提供する。PDKはファウンドリーの工程情報を反映し、顧客企業が半導体を設計できるよう支援する設計ツールだ。DBハイテックは現在、第1・第2世代PDKを提供しており、11月に第3世代PDKを発売する予定だ。会社は、これを活用すれば初期開発の負担を下げ、製品開発期間を1年以上短縮できると説明した。

DBハイテックは今年第3四半期から既存の協力顧客を対象にSiC工程サービスを開始する。来年第2四半期からはすべての顧客企業へサービスを拡大し、本格的な量産体制に入る計画だ。