中国の極端紫外線（EUV）露光装置技術が世界の先頭グループより約15年遅れているとの評価が出た。中国が半導体装置の国産化を加速しているものの、最先端工程の中核であるEUV分野では相当な技術格差があるとの診断である。
3日、ブルームバーグなどによると、ドイツの光学企業ツァイスグループの半導体部門を統括するフランク・ロムントはブルームバーグTVのインタビューで「中国はEUV露光装置を開発するのに15年が必要だ」としつつ、「ただし中国の進展度合いを数値化するのは難しい」と語った。
EUV露光装置は先端半導体の製造に不可欠な装置だ。現在、世界ではオランダのASMLだけが生産している。ツァイスはEUV装置に搭載される中核光学部品を独占供給する。ASMLは2017年にツァイス半導体部門の持分を10億ユーロ（約1兆5700億ウォン）で取得した。
米国は中国の先端人工知能（AI）および半導体技術の確保を牽制するため、EUV装置の対中輸出を制限している。中国はEUVより前世代の技術である深紫外線（DUV）露光装置をASMLから供給を受けているが、米国は最新のDUV装置についても輸出統制を強化している。
中国はこれに対応し、半導体装置サプライチェーンの自立に大規模投資を続けている。投資銀行UBSも最近のリポートで、中国の独自EUV技術は少なくとも10年程度遅れていると評価した。
中国のDUV装置の国産化の動きはEUVより速い。7月には上海のある中国企業が独自のDUV露光装置を製造しているとの報道もあった。
ロムントはこれについて「驚くべきことではなく、中国装置が実際にどの程度の性能を備えるのか見極める必要がある」とし、「依然としてわれわれが先行している」と述べた。
ただしロムントは、米国の輸出規制が長期的には中国の装置国産化を促す可能性にも言及した。ロムントは輸出規制の拡大がツァイスの事業に否定的な影響を及ぼし得るとし、「輸出制限がかえって中国内の技術革新を速めるだろう」と語った。