中国最大のDラム企業である長鑫科技（CXMT）が、第5世代高帯域幅メモリー（HBM）であるHBM3Eの少量生産を開始したと伝えられた。サムスン電子とSKハイニックス、マイクロンが第6世代のHBM4を量産しているため、製品世代で見れば1世代差まで追い付いた格好だ。
先月31日（現地時間）米国の情報技術（IT）専門メディアであるディ・インフォメーションは、複数の関係者を引用し、CXMTがHBM3Eを少量生産しており、来年には生産量を拡大する計画だと報じた。
HBMは複数のDラムを垂直に積層してデータ処理速度を高めたメモリー半導体で、人工知能（AI）アクセラレーターの中核部品である。HBM3EはHBM、HBM2、HBM2E、HBM3に続く第5世代製品である。以降は第6世代HBM4、第7世代HBM4Eへと続く。
アリババの半導体設計子会社Tヘッドや中国AI半導体企業のカンブリコン・テクノロジーズなどは、自社プロセッサーにCXMTのHBM3Eを適用するためのテストを進めているとされる。計画どおり検証が進めば、早ければ来年からCXMTのHBM3Eを搭載した中国製AI半導体が発売され得る。
中国ファブレスの発注は、CXMTがHBM量産の経験と実際の顧客からのフィードバックを確保するうえでも助けになるとみられる。ディ・インフォメーションは、AIの普及でHBM需要が急速に増えるなか、中国企業が先端HBMの生産に参入した点を中国半導体産業の重要な前進と評価した。
米国の対中半導体規制で先端HBMの確保が難しくなったことも、中国国内での自前のサプライチェーン構築を促している。米国は2024年から中国向けの先端HBM輸出を制限した。CXMTも、先頭を走るメモリー企業が使用する一部の先端半導体製造装置を確保するうえで制約を受けている。
ただし製品世代の差が1段階まで縮まったからといって、実際の技術格差まで同水準に縮小したと見るのは難しい。CXMTは依然としてHBMの歩留まりや信頼性、性能の面で先行企業に後れを取っているとされる。ディ・インフォメーションは、CXMTのHBM技術がグローバル先行企業より3〜5年遅れていると伝えた。
Tヘッドとカンブリコンも、CXMTのHBM3Eの速度と信頼性がサムスン電子・SKハイニックス・マイクロンの製品に及ばないものの、自社AIプロセッサーと安定的に動作するよう最適化する作業を進めていると伝えられた。
SKハイニックスは2024年にHBM3Eの量産を開始した。サムスン電子とSKハイニックス、マイクロンなどメモリー3社は現在、第6世代HBM4の量産に入っており、来年の発売を目標とする第7世代HBM4Eのサンプル供給も開始した状況だ。
CXMTは先月上海証券取引所への上場を通じて86億ドル（約11兆8000億ウォン）を調達した。これを基に汎用Dラムだけでなく高付加価値メモリーへと製品群を迅速に広げようとしている。最近は次世代モバイル向け低消費電力DラムであるLPDDR6の量産にも乗り出した。HBM3Eまで供給を拡大する場合、モバイルとAIアクセラレーター向けメモリーを同時に強化することになる。