中国のメモリー企業ヤンツーメモリーテクノロジーズ（YMTC）が来年にNAND型フラッシュ市場の首位に挑む一方で、サムスン電子とSKハイニックスが高帯域幅メモリー（HBM）を含むDRAM中心に生産能力（キャパ）を拡大しており、NAND市場で主導権を失うのではないかとの懸念が出ている。
30日、業界によると、市場調査会社オムディアはYMTCのNANDウエハー生産量が今年の201万枚から来年は249万6000枚へと48万6000枚増える見通しだと予測した。
武漢第3工場は年末に初期稼働に入り、来年本格稼働を開始する。これにより、武漢第3工場の生産量だけで今年の9万枚から来年は57万5000枚へ急増する予定である。
一方、サムスン電子とSKハイニックスのNAND生産量は来年まで大きな変化はない見通しだ。サムスン電子のNANDウエハー生産量は今年の477万枚から来年は484万5000枚へと7万5000枚増加すると予想される。SKハイニックス（ソリダイム含む）も同期間に279万枚から286万5000枚へと7万5000枚増える見通しだ。
YMTCはすでに出荷量を急速に伸ばし、上位陣を追撃している。今年第2四半期にはNAND出荷量基準で日本のキオクシアを初めて抜き、世界3位に浮上した。高価格のデータセンター向けeSSD比率が低い影響で、売上高基準では依然5位にとどまっている。しかしNAND価格の上昇に伴う収益性の改善で、シェアを迅速に拡大できると業界は見ている。
YMTCは最近の新規株式公開（IPO）準備の過程で、早ければ来年末までにグローバルNAND市場で1位の座を獲得する目標を示したと伝えられている。
早ければ今年第4四半期と予想される上場を通じて大規模な資金を調達し、設備投資を拡大する方針である。年末の武漢第3工場の稼働開始を皮切りに、追加工場を迅速に建設して生産能力を2倍以上に引き上げることを目標としている。
一方、サムスン電子とSKハイニックスは早くても2028年から本格的なNANDキャパ拡大が可能な状況である。サムスン電子は現在建設中の平澤キャンパスP5の1・2の一部クリーンルームでNANDを生産する予定だ。稼働は2027年から2030年まで段階的に進む予定である。
SKハイニックスも最近、清州M17建設の投資規模を確定し、来年2月に着工して2028年12月に最初のクリーンルームを開く計画である。
業界では、YMTCを含む中国企業の増設とシェア拡大が供給競争を引き起こし、NAND価格の下落につながる可能性があるとの懸念もある。市場調査会社トレンドフォースはNAND市場の見通しについて「DRAMと異なり、NAND市場は2027年下半期から新規生産能力の稼働と消費者向け電子製品の需要低迷が重なり、供給が緩み価格の下方圧力が強まる」と分析した。