##SKハイニックス#が米国で先端高帯域幅メモリー（HBM）を量産するための最初の生産拠点を建設する。年間数十万枚規模の人工知能（AI）中核部品が米国現地で供給される見通しだ。
SKハイニックスは27日（現地時間）、米インディアナ州ウェストラファイエットで次世代HBMアドバンストパッケージング生産工場（ファブ）の起工式を開催したと同日明らかにした.
今回のインディアナ・ファブはSKハイニックスが米国で構築する初の生産拠点である。SKハイニックスは2028年10月までにパッケージング工程空間であるクリーンルームの造成を終え、2029年下半期から本格的なHBM量産に入る計画だ。
これまで米国内で生産実績がなかったHBMを韓国企業が初めて生産することになる。エヌビディアをはじめ現地の主要ビッグテック企業は米国で生産したHBMの供給を受ける。
クァク・ノジョンSKハイニックス代表理事社長は起工式に出席し、新規ファブのHBM製造能力が年数十万枚に達すると説明した。毎年DRAM（RAM）ウエハー数十万枚の供給を受け、後工程を経てHBMに完成させる構造だ。現在、業界が推定するSKハイニックスの年間DRAM生産量は600万枚水準であり、このうち一部がHBM製造に投入される。
クァク社長は「インディアナ・プロジェクトは米初のHBM生産拠点を構築するものだ」と述べ、「『メイド・イン・USA』HBMを初めて供給する中核拠点であり、米国の半導体サプライチェーンを強化し経済・安保に寄与する主要基盤になる」と語った。
SKハイニックスは今回の建設プロジェクトに約40億ドルを投じる。米国政府も半導体支援法（Chips Act・チップス法）に基づき最大4億5000万ドルの補助金と5億ドル規模の融資を支援することにした。
インディアナ・ファブは、韓国で出荷されたDRAMチップを積層・結合してHBMを製造するアドバンストパッケージング（後工程）施設とともに、次世代HBMの研究・開発（R&D）機能を担う。
現在SKハイニックスが供給する最新規格は、DRAMを12枚積み上げた第6世代（HBM4）製品である。これはエヌビディアの最先端AIアクセラレーター「ベラ・ルービン」に搭載されている。
エヌビディアがAIアクセラレーターの性能改良を継続していることから、インディアナ・ファブで製造されるHBMは第6世代を超える次世代ラインアップとなる可能性が大きいとみられる。SKハイニックスは現在、第7世代（HBM4E）製品の開発を進めている。
SKハイニックスは次世代技術の開発と検証のため、エンジニアリング分野で強みを持つ米パデュー大学と研究・開発（R&D）協力の覚書（MOU）を締結した。これによりパデュー大の優秀な研究人材を積極的に確保する方針だ。工場用地はウェストラファイエット内のパデュー大所有地に位置する。ファブ稼働が本格化すれば約1000人の人員が常駐する予定である。
クァク社長は、工場の建設・運営人員と100余りの協力素材・部品・装置企業を合算して、約7000人規模の直接・間接雇用創出効果があると説明した。