人工知能（AI）発のメモリー需要でDラムの供給不足が深刻化しているが、Dラム市場1位のサムスン電子の今年下半期の供給拡大ペースは市場の期待値に及ばないとの見方が出ている。サムスン電子が10ナノ第5世代（1b）から10ナノ第6世代（1c）への工程転換を優先し、物量拡大よりも歩留まり安定化に重心を置いているためだという分析である。
24日ChosunBizが確保した市場調査会社オムディアの資料によると、サムスン電子のDラム生産能力は昨年の年間769万5000枚から今年817万5000枚へと約6%の増加にとどまる見通しだ。来年も全体のDラム生産能力は828万枚となり、増加率は1.3%まで落ちると推定される。特に旧工程のDラム装置を第6世代HBM（高帯域幅メモリー・HBM4）に搭載される1c Dラムへ転換する過程で、一部生産量のロスが発生する可能性も指摘される。
サムスン電子平沢（ピョンテク）キャンパスの関係者は「平沢キャンパスに継続的な増設投資が行われているが、現在稼働中のラインでDラム生産能力を市場需要に合わせて大幅に増やすのは難しく見える」と述べ、「基本的な会社方針は量的拡張よりも最先端Dラムの歩留まりと生産性に重点を置いており、これは昨年から一貫して続いてきたチョン・ヨンヒョン副会長の基本哲学だ」と説明した。
実際に平沢キャンパスでは既存ラインの改造による工程転換投資が進んでいると把握される。当初、成熟工程にとどまっていた一部ラインが第6世代工程へのレトロフィット（retrofit・既存設備改造）転換に乗り出し、平沢工場がサムスン電子全体のDラム生産能力で占める比率は2025年の49.5%から2027年には55.4%まで拡大することが示された。ただしこれは新規ファブ完成に伴う増設ではなく既存ライン改造による増加であるため、実際の体感的な供給拡大の速度は表面的な数値よりも鈍い可能性があるとの指摘が出ている。
一方、華城（ファソン）16・17ラインは3年目に停滞ないし減少傾向を示している。サムスン電子は2024年4四半期の決算カンファレンスコールで、世界メモリー市場の競争激化によりレガシー（旧型）製品の収益性が低下したとして、既存Dラム売上の30%を占めていたレガシーDラムとNANDフラッシュの比率を大幅に縮小する予定だと明らかにした。実際に華城12ラインは既存の2次元（2D）NAND量産を終了し、華城15ラインのバックエンド（BEOL）工程用「エンドファブ（End-fab）」への転換作業が最近終わり、下半期からDラム出荷量の拡大に寄与すると見込まれるというのが業界の説明だ。16・17ラインもこのようなレガシー整理・用途再編の流れに連動し、生産能力の増加ペースが鈍化したと業界はみている。
一方、SKハイニックスは2025年の606万枚から2026年に666万枚へ9.9%、2027年には729万枚へ9.5%増加し、2桁の成長率を維持する見通しだ。これにより両社のDラム生産能力の格差は、2025年の163万5000枚（サムスンが27.0%優位）から2027年の99万枚（13.6%優位）へと、2年で約39%縮小することが示された。
サムスン電子は過去に第5世代（1b）Dラムの歩留まり競争で劣勢を示した経緯があるだけに、新規増設で物量を増やすよりも歩留まり安定化に優先順位を置く基調を続けている。チョン・ヨンヒョン副会長の就任以降、全製品の工程・設計を再点検し、第5世代Dラムから安定性を固める方向で生産能力の運用速度を自ら調整してきたと伝えられる。
Dラム市場1位のサムスン電子の戦略的選択が、下半期の供給不足局面ではむしろ負担として作用し得るとの見方も出ている。SKハイニックスが新規ライン中心の増設で格差を縮める一方、サムスン電子は物量より品質に重点を置いた格好で、供給対応力では後れを取る可能性があるということだ。
ただし、ウエハー投入量基準の供給能力が実際の市場需要への対応と完全に一致するわけではないとの反論もある。最新のDラム工程であるほど同一ウエハー当たりのビット密度が高く、ビット換算では上半期の深刻な需給不均衡をある程度相殺する効果があるという説明だ。業界関係者は「ウエハー投入量だけを見ればサムスン電子の増設ペースは鈍く見えるが、ビットグロース（生産量増加率）で見る実質的な供給能力は増えている」と述べ、「ただし下半期のDラム供給不足は依然として深刻な状況であるため、メモリー市場の好況はより長期化する可能性が高い」と語った。