米国のメモリー半導体大手マイクロンが今後10年間で100億ドル（約14兆ウォン）を投入し、米国に大規模なメモリー研究開発（R&D）拠点を構築する。生成AIの拡大で高性能メモリーの重要性が高まるなか、次世代メモリーや先端パッケージング、半導体プロセス技術の確保を急ぐ構えだ。
21日、業界によると、マイクロンは20日（現地時間）に米アイダホ州ボイジーにメモリー専門の研究ハブを設立すると明らかにした。ボイジーはマイクロン本社が所在する地域である.
マイクロンは今後10年間で研究ハブに100億ドルを投資する計画だ。来年着工に入る方針で、数百人規模の研究人員を確保するとしている。
新たな研究ハブでは、次世代メモリーをはじめ、高性能コンピューティングアーキテクチャ、先端パッケージング、将来の半導体製造プロセスなどを研究する。マイクロンは自社研究にとどまらず、顧客企業や大学、米国政府機関、スタートアップなどとの共同研究も推進する予定だ。
ボイジー研究ハブを中心に、欧州や日本、インド、シンガポール、台湾などに位置する既存の技術拠点も連携する。
マイクロンがR&D投資を拡大するのは、AIデータセンター市場の成長により、メモリーがシステム全体の性能を左右する中核部品として浮上しているためである。
AIモデルの規模が大きくなるほど、GPU（グラフィックス処理装置）などの演算装置に大量のデータを迅速に供給することが重要になる。これに伴い、HBM（高帯域幅メモリー）をはじめとする高性能・低消費電力メモリー技術の競争も一段と激しくなっている。
サンジャイ・メロトラ・マイクロン最高経営責任者（CEO）は「今日、メモリーなくしてAIはない」と述べ、「AIシステムにはより多くのメモリーとより高い性能、より低い電力のメモリーが必要だ」と語った。
今回の投資は、米国政府が半導体生産のみならず研究開発能力まで国内に呼び込む政策を強化するなかで打ち出された。ジーナ・レモンド米商務長官は、メモリーを米国の技術競争力の中核要素と評価し、今回の投資が米国内の半導体イノベーションと高度人材の雇用創出に寄与すると明らかにした。