DBハイテックがインドで次世代電力半導体のプロセス技術を披露し、現地顧客の獲得に乗り出す。シリコンカーバイド（SiC）プロセスの検証を最近終えたのに続き、ガリウムナイトライド（GaN）プロセスも年内に検証を完了する計画である。SiCとGaNは従来のシリコン基盤半導体より高い電圧と温度で動作でき、電気自動車や産業用電力装置などに活用される次世代電力半導体材料だ。
DBハイテックは9月16日から18日（現地時間）までインドのベンガルールで開かれる「electronica India 2026（エレクトロニカ・インディア）」に参加すると20日明らかにした。エレクトロニカ・インディアは電子部品とシステム、応用製品などを扱う南アジアの電子産業展示会だ。
DBハイテックは展示会で主力プロセスであるBCD（Bipolar-CMOS-DMOS）をはじめ、SiCとGaNなど電力半導体のプロセス技術と開発状況を紹介する。現地ファブレス（半導体設計専門企業）を対象に新規ファウンドリー（半導体受託生産）顧客も発掘する計画だ。
BCDはアナログとデジタル回路、高電圧電力素子を1つのチップに実装するプロセスである。電力管理半導体（PMIC）などに主に活用される。DBハイテックのBCDプロセスは累計ウエハー出荷量900万枚を記録した。会社は自動車と産業用半導体などへBCDの適用分野を広げている。
次世代電力半導体プロセスの開発も進行中である。DBハイテックは最近、1200ボルト（V）SiC電力制御用半導体素子（MOSFET）プロセスの検証を完了した。650V GaNプロセスは12月までに検証を終える計画だ。現在、戦略顧客を対象に両プロセスを活用した製品の性能評価を進めている。
DBハイテックはエックス線とグローバルシャッター、単一光子アバランシェダイオード（SPAD）などに使われる特化イメージセンサー（CIS）プロセスと、ミックスドシグナル（Mixed-Signal）・無線周波数（RF）プロセスも展示会で紹介する。
DBハイテックがインド市場攻略を拡大するのは、現地の半導体エコシステムが急速に拡大しているためである。インド政府が半導体産業の育成と投資拡大を推進するなか、半導体設計サービスを中心に成長した現地企業も自社半導体製品の開発へと事業領域を広げている。これに伴い、ファウンドリー需要も増加するとDBハイテックはみている。
DBハイテック関係者は「インドは現地ファブレスと半導体エコシステムが急速に成長し、新たな事業機会が拡大している市場だ」と述べ、「今回のエレクトロニカ・インディア参加を通じて現地顧客との接点を広げ、電力半導体および特化プロセスの競争力を基盤に新規事業機会を継続的に発掘していく」と語った。