SKハイニックスが人工知能（AI）向けメモリー需要の拡大に対応し、今年上半期は設備と研究開発（R&D）投資を大幅に増やした。有形固定資産の取得に支出した現金は18兆ウォンを超え、前年同期より70%以上増加した。
14日、SKハイニックスが公示した半期報告書によると、今年上半期の連結ベースで有形固定資産の取得に支出した現金は18兆3,288億ウォンで、昨年同期間の10兆6,157億ウォンより72.7%増加した。
R&D投資も拡大した。上半期のR&D総支出額は6兆428億ウォンで、前年同期の3兆456億ウォンより98.4%増えた。このうち経常開発費は5兆8,163億ウォンだった。SKハイニックスはAI向け高帯域幅メモリー（HBM）やサーバーDRAM、企業向けソリッドステートドライブ（SSD）などの需要増に合わせ、生産施設の拡充にも速度を上げている。7日、取締役会でヨンイン半導体クラスターの2番目のファブ「Y2」に35兆2,000億ウォン、清州の新規NANDファブ「M17」に19兆1,000億ウォンなど、総額54兆3,000億ウォンを投資することを決定した。
Y2は来年7月に着工し、2029年6月に最初のクリーンルームを稼働させることを目標とする。HBMをはじめとする次世代DRAMを生産する。M17は来年2月に着工し、2028年12月の初回クリーンルーム稼働を目標としている。
今回の投資はSKハイニックスが6月に発表した1,100兆ウォン規模の中長期投資計画の一部である。会社はヨンインに600兆ウォン、清州に100兆ウォン、西南圏に400兆ウォンを段階的に投資する計画だ。ヨンイン半導体クラスターは、当初2045年だった4番目のファブ建設スケジュールを2033年に12年前倒しした。2033年は4番目のファブの最初のクリーンルーム完成の目標時点であり、残るクリーンルームと生産装置への投資はその後も段階的に進める。