サムスン電子 HBM4 製品写真。/サムスン電子

韓国がサムスン電子とSKハイニックスの設備投資を土台に2031年まで世界メモリー半導体市場の先頭地位を維持するという見方が出た。ただし高帯域幅メモリー(HBM)需要はNVIDIAのグラフィックス処理装置(GPU)中心から、グーグルなどビッグテックの自社人工知能(AI)アクセラレーターへと素早く分散すると予想された。

フランスの市場調査会社ヨルグループのジョセフィン・ラウ産業アナリストは4日(現地時間)、米カリフォルニア州サンタクララで開かれた「FMS(Future of Memory and Storage)2026」で、韓国が2031年までメモリー産業の先頭を維持すると見通した。

ラウアナリストは、韓国政府が今後5年間でウエハ生産能力を2倍に拡大する計画を推進し、サムスン電子とSKハイニックスも投資を拡大している点を根拠として示した。サムスン電子とSKハイニックスがHBMをはじめ次世代DRAMとNAND分野で生産能力と技術開発を同時に拡大しており、韓国の優位が続くという分析である。

メモリー消費の地域は米国中心へと素早く再編されていることが分かった。ラウアナリストによれば、世界のメモリー消費に占める米国の比率は2021年の37%から昨年は52%へと15ポイント上昇した。同期間に中国の比率は35%から29%へと6ポイント下落した。

米国と中国の合算比率は72%から81%へと高まった。米ビッグテックのAIデータセンター投資がメモリー需要を押し上げた一方、米国の対中半導体規制が中国内の先端半導体の生産と消費を制限した影響とみられる。

ラウアナリストは、メモリー市場がAIモデル学習中心の「AI 1.0」から、推論需要が本格的に拡大する「AI 2.0」段階へ移行していると診断した。AIサービスが実際の産業と消費者製品に適用されるにつれ、データ処理量とメモリー容量・帯域幅要件が同時に拡大しているということだ。

製品開発のスピードも核心的な競争力として浮上した。従来は次世代メモリーの開発に約18カ月を要したが、AIアクセラレーターの投入サイクルが短くなり、メモリー企業も約12カ月以内に新製品を供給しなければならない圧力を受けているという説明だ。

HBM市場ではNVIDIAの影響力が次第に低下すると予想された。台湾の市場調査会社トレンドフォースのエイブリル・ウー上級リサーチバイスプレジデントは、全体HBM需要におけるNVIDIAの比率が昨年の66%から今年は58%へ低下すると見込んだ。

グーグルのテンソル処理装置(TPU)をはじめ、アマゾン・Meta(メタ)などのクラウドサービス事業者(CSP)が自社開発の特定用途向け半導体(ASIC)導入を増やしているためだ。ASICは特定企業のAIサービスと演算方式に合わせて設計した半導体である。

トレンドフォースは、今年のAIサーバー出荷量のうちASICベース製品の比率が27.8%に達すると予想した。GPUが依然として69.7%を占めるが、グーグルとMeta(メタ)などの自社AIチップ拡大により、ASICサーバーの増加率がGPUサーバーを上回ると分析した。

HBM需要そのものはNVIDIAの比率低下と無関係に拡大する見通しだ。トレンドフォースは、NVIDIAが最大のHBM需要先の地位を維持する一方、グーグルTPUなどビッグテックの自社AIアクセラレーターが新たな需要先として素早く成長していると分析した。

ウー上級リサーチバイスプレジデントはFMSで、コンシューマー向けメモリーの生産能力がHBM4・HBM4Eと大容量NANDへ移るなか、2026〜2028年に供給のボトルネックが続く「構造的スーパーサイクル」が現れると予想した。AI向けの高付加価値製品がウエハ投入量を吸収し、汎用DRAMとNANDの供給まで制約する可能性があるという意味だ。

中国メモリー企業の技術追撃も変数として示された。ヨルグループは長鑫科技(CXMT)のDRAMを分析した結果、10ナノ級第3世代である1zプロセス水準に到達したと評価した。業界先頭企業が2019年に確保した技術水準である。

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