中国最大のDRAMメーカーである長鑫科技（CXMT）が北京で追加の生産工場建設を進める方針だ。人工知能（AI）の普及でメモリー需要が増加するなか、汎用DRAMの生産能力を拡大し、サムスン電子とSKハイニックス、米マイクロンの追撃に拍車をかける様相だ。
4日ロイター通信によると、CXMTは北京南東部の亦荘（イーチュアン）地域に12インチウエハー基盤のDRAM工場を追加で建設する案を検討している。北京経済技術開発区と資金調達方式を協議しており、一部の国有企業も投資参加の意思を示したと伝えられた。
協議は初期段階で、具体的な投資規模や生産能力、工場建設のスケジュールは確定していない。業界では先端メモリー工場1カ所の建設に通常100億ドル（約14兆3000億ウォン）以上が必要とみる。
CXMTは現在、安徽省合肥と北京などで3カ所の工場を運営している。各工場の月間生産能力は約10万枚とされる。北京工場に加え、合肥と上海でも新規生産施設の建設を進めている。
推進中の工場がすべて稼働すれば、CXMTの総生産能力は現在の月30万枚水準から60万枚へと倍増する見通しだ。生産拡大はAIサーバーとデータセンター投資でDRAM需要が増加する状況に対応し、中国政府の半導体自立政策を下支えする措置とみられる。
CXMTは汎用DRAMを中心にシェアを速いペースで高めている。カウンターポイント・リサーチによると、CXMTの世界DRAM市場シェアは昨年1〜3月期の3%から今年1〜3月期に8%へ上昇した。サムスン電子とSKハイニックス、マイクロンに次ぐ世界4位水準である。
ただし高帯域幅メモリー（HBM）と先端DRAMプロセスでは韓国企業との技術格差が残るとの評価が出ている。米国の対中半導体製造装置輸出規制で先端生産装置の確保が難しい点も、実際の増産スピードを左右する変数とされる。