SKハイニックスがサンディスクとともに次世代AIメモリー技術であるHBF（High Bandwidth Flash）の初の標準規格を公開した。生成型人工知能（AI）の拡大でHBM（高帯域幅メモリー）とSSDのあいだの性能ギャップが広がる中、両メモリー階層をつなぐ新たなストレージ技術を提示したかたちだ。
SKハイニックスは4日（現地時間）、米カリフォルニア州サンタクララで開幕した世界最大のフラッシュメモリー展示会「FMS 2026」で、サンディスクと共同開発したHBF標準規格を公開したと明らかにした。
HBFはHBMとSSDのあいだに位置する新たなメモリー階層である。HBM水準の高いデータ処理性能とNANDフラッシュベースの大容量保存能力を組み合わせ、AI推論と大規模データ処理環境で発生するメモリーのボトルネックを減らすための技術だ。
今回公開された標準は、NANDダイを8段と16段で積層する構造を基盤に最大512GBの容量を支援する。データ転送速度は約0.4TB/sから最大3.0TB/sまでを三つの段階で規定し、プロセッサーとの接続インターフェースには業界標準であるUCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）を採用した。
SKハイニックスはサンディスクとHBFの標準化を推進してきており、現在グーグルやテンストレントなども関連コンソーシアムに参加している。会社はオープン標準を基盤にAIストレージのエコシステムを拡大していく計画だ。
あわせてSKハイニックスはFMS 2026で階層型メモリー戦略も公開した。展示ブースでは第10世代の375段4D NANDウエハーとこれを適用した製品を初披露し、これに基づき来年初めに高性能・大容量の企業向けSSD（eSSD）を量産する計画だと明らかにした。
キム・チョンソンSKハイニックス部門長は「HBFはメモリーとストレージの境界を拡張し、システム全般の効率を高める新たなアーキテクチャだ」と述べ、「AI時代に最適化したメモリーソリューションを継続的に拡大していく」と語った。
先立ってSKハイニックスは4月に開かれたTSMCテクノロジー・シンポジウムでも、HBMを越えてHBFと3次元（3D）積層DRAMなど次世代AIメモリー製品群を拡大する戦略を公開したことがある。